一种具有叠层多晶硅的隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有叠层多晶硅的隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法，隧穿氧化物钝化接触结构包括设置在晶硅衬底上的纳米氧化硅薄膜，以及交替设置在所述纳米氧化硅薄膜上的掺磷多晶硅薄膜和多元素掺杂多晶硅薄膜，所述多元素掺杂多晶硅薄膜中掺杂有磷元素和功能元素，所述功能元素选自碳、氮、氧中的一种或多种，所述掺磷多晶硅薄膜的数量为n层，所述多元素掺杂多晶硅薄膜的数量为m层，n≥2，m≥1，且1≥n‑m≥‑1。本发明专利技术提出一种创新的隧穿氧化物钝化接触结构，通过增加含有碳/氮/氧元素的多晶硅插入层，可以有效阻止金属浆料烧穿，降低金属化区域复合电流，提高电池的开路电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶硅太阳能电池，具体而言，涉及一种叠层多晶硅结构及其制备方法和topcon电池。

技术介绍

1、隧穿氧化物钝化接触（topcon）电池技术使用了极薄的氧化硅和重掺杂多晶硅层作为背面钝化接触层，凭借其极好的钝化性能、低的接触电阻、高的光电转换效率，以及与perc技术工艺的高度兼容性成为下一代晶硅电池技术升级的最佳候选者。

2、因丝网印刷金属化浆料具有成本低，产量高的特点，工业太阳能电池制造厂商将其视为一种具有成本效益的金属化解决方案。对于topcon电池的背面而言，产业界在不断减薄多晶硅层厚度，以此缓解载流子寄生吸收现象，提高电池光学性能。但随之带来的问题是较薄的多晶硅层难以抵抗烧结过程的金属烧穿，进而造成较大的饱和电流密度。针对此问题，产业界给出了一种改进方式，即使用poly-finger技术（参见专利文献cn202110748415.7、cn202111219995.7），该技术原理是保持金属化区域下方的多晶层较厚，而非金属化区域通过碱刻蚀方式对多晶硅层进行减薄以保证低寄生吸收。但此方式仍存在相应弊端，即需要极精确的碱刻蚀参数控本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有叠层多晶硅的隧穿氧化物钝化接触结构，其特征在于，包括设置在晶硅衬底上的纳米氧化硅薄膜，以及交替设置在所述纳米氧化硅薄膜上的掺磷多晶硅薄膜和多元素掺杂多晶硅薄膜，所述多元素掺杂多晶硅薄膜中掺杂有磷元素和功能元素，所述功能元素选自碳、氮、氧中的一种或多种，所述掺磷多晶硅薄膜的数量为n层，所述多元素掺杂多晶硅薄膜的数量为m层，n≥2，m≥1，且1≥n-m≥-1。

2.根据权利要求1所述的具有叠层多晶硅的隧穿氧化物钝化接触结构，其特征在于，所述多元素掺杂多晶硅薄膜的数量m为2~3层。

3.根据权利要求1所述的具有叠层多晶硅的隧穿氧化物钝化接触结构，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种具有叠层多晶硅的隧穿氧化物钝化接触结构，其特征在于，包括设置在晶硅衬底上的纳米氧化硅薄膜，以及交替设置在所述纳米氧化硅薄膜上的掺磷多晶硅薄膜和多元素掺杂多晶硅薄膜，所述多元素掺杂多晶硅薄膜中掺杂有磷元素和功能元素，所述功能元素选自碳、氮、氧中的一种或多种，所述掺磷多晶硅薄膜的数量为n层，所述多元素掺杂多晶硅薄膜的数量为m层，n≥2，m≥1，且1≥n-m≥-1。

2.根据权利要求1所述的具有叠层多晶硅的隧穿氧化物钝化接触结构，其特征在于，所述多元素掺杂多晶硅薄膜的数量m为2~3层。

3.根据权利要求1所述的具有叠层多晶硅的隧穿氧化物钝化接触结构，其特征在于，所述多元素掺杂多晶硅薄膜中的功能元素掺杂浓度为1×1018~5×1021 cm-3，磷掺杂浓度为5×1019~1×1021cm-3。

4.根据权利要求1-3任一所述的具有叠层多晶硅的隧穿氧化物钝化接触结构，其特征在于，所述多元素掺杂多晶硅薄膜的厚度为5~200 nm。

5.根据权利要求1所述的具有叠层多晶硅的隧穿氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜浩江，陈佘世成，曾俞衡，刘尊珂，廖明墩，林娜，刘晓巍，叶继春，
申请(专利权)人：中科研和宁波科技有限公司，
类型：发明
国别省市：