【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶硅太阳能电池制备,具体而言,涉及一种切片电池边缘隔离方法及切片电池。
技术介绍
1、切片技术是指将单个电池切割成相同的半片或多片电池,然后将各切片电池焊接串联,该技术具有提升封装效率、降低组件温升、减少遮挡损失等作用。然而,切割电池片不可避免地会产生激光热烧蚀及机械损伤,在电池片表面或边缘产生的缺陷,导致载流子(电子和空穴)在这些缺陷处发生边缘复合。对隧穿氧化硅钝化接触(topcon)切片电池而言,边缘复合带来的效率影响会非常显著,效率损失会达到0.2%~0.4%。
2、为了应对切片工艺导致的效率损失,产业上提出电池切片后用原子层沉积技术(ald)在硅片边缘沉积一定厚度(约30nm)的氧化铝(alox)进行边缘钝化,可以在现有切片电池的效率基础上增加0.1%~0.2%。但采用该技术的生产成本高,生产效率低,产业应用性价比较低,而且氧化铝会绕镀到电池,影响电池外观。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足,本专利技术所要解决的技术问题是如何提高切片电池的效率,降低生
...【技术保护点】
1.一种切片电池边缘隔离方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的切片电池边缘隔离方法,其特征在于,所述步骤b中,纳秒激光的波长为500~1100nm。
3.根据权利要求2所述的切片电池边缘隔离方法,其特征在于,所述步骤b中,激光脉冲能量密度为>0.3J/cm2,光斑重叠率为5%~90%,脉冲宽度为1~500ns。
4.根据权利要求1所述的切片电池边缘隔离方法,其特征在于,所述步骤S30中,对隔离区进行酸洗和碱洗后,隔离区表面结构为绒面或平面结构。
5.根据权利要求4所述的切片电池边缘隔离方法,其特
...【技术特征摘要】
1.一种切片电池边缘隔离方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的切片电池边缘隔离方法,其特征在于,所述步骤b中,纳秒激光的波长为500~1100nm。
3.根据权利要求2所述的切片电池边缘隔离方法,其特征在于,所述步骤b中,激光脉冲能量密度为>0.3j/cm2,光斑重叠率为5%~90%,脉冲宽度为1~500ns。
4.根据权利要求1所述的切片电池边缘隔离方法,其特征在于,所述步骤s30中,对隔离区进行酸洗和碱洗后,隔离区表面结构为绒面或平面结构。
5.根据权利要求4所述的切片电池边缘隔离方法,其特征在于,所述步骤c中,采用氢氟酸溶液进行酸洗去除...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾俞衡,武彪,赵须凯,刘晓巍,廖明墩,杜浩江,刘意,黄如伟,林娜,夏庆锋,叶继春,
申请(专利权)人:中科研和宁波科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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