一种电子源结构及制作方法技术

本发明专利技术提供一种电子源结构及制作方法，包括：提供第一基板，第一基板上形成有层叠的第一多孔层和第二多孔层；于第二多孔层上形成背栅层；提供第二基板，将背栅层键合于第二基板；剥离第一多孔层以去除第一基板；刻蚀第二多孔层形成凹槽，于凹槽中填充有绝缘介质层，并形成顶电极和背电极，顶电极与第二多孔层电连接，背电极贯穿绝缘介质层与背栅层电连接。本发明专利技术通过第一多孔层裂解以辅助转移作为有源层的第二多孔层，有效提高了有源层的转移成功率；并且，通过第一多孔层裂解转移有源层，提升了基板的灵活性，基板的材料类型、结构类型、功能类型可以灵活选配，提升了电子源与CMOS系统、MEMS系统等其他辅助功能系统的集成灵活度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，涉及一种电子源结构及制作方法。

技术介绍

1、随着半导体微细加工产业的发展，对电子束直写技术的要求越来越高，例如，保证精细图形成像准确性、提升直写速度等。高技术节点图形的成像既需要更精细、更准确地直写，还需要在图形数据量剧增的情况下实现高速直写，从精细图形的准确直写角度来讲，需要把电子束斑变小，以便进行精准扫描，在电流密度不变的情况下，把电子束斑变小就意味着把电子束的电流变小，其结果是导致直写时间变长。为了提高电子束直写设备单位时间内的生产能力，使用复数个电子束同时直写的多电子束直写机成为了必要的工具，多电子束直写机的直写电子束数量需要在几十万左右。

2、基于多孔硅材料可制备出电流密度大、电流准直度高、电子能量集中的电子源，并将其加工为密集电子源阵列，用于多电子束直写，在形成多束电子源阵列时，需要考虑：1)电子源阵列需要外部cmos控制电路提供驱动信号，为了减小信号延迟，提高直写速率，需要将其与cmos电路进行必要的封装互联，在制备电子源阵列时，需要考虑其与cmos电路的封装可实现性；2)对于阵列中不同区域的电子源，其发射本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子源结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：一部分所述凹槽贯穿所述第一多孔层且贯穿所述背栅层，以将所述背栅层隔离为多个背栅层单元。

3.根据权利要求1所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：所述第一多孔层包括多孔硅层，所述第二多孔层包括多孔硅层。

4.根据权利要求1所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：所述背栅层包括重掺杂多晶层，掺杂浓度不低于1E18/cm3。

5.根据权利要求1所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：所述第二基板包括半导体晶圆、玻璃基板、金属基板、...

【技术特征摘要】

1.一种电子源结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：一部分所述凹槽贯穿所述第一多孔层且贯穿所述背栅层，以将所述背栅层隔离为多个背栅层单元。

3.根据权利要求1所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：所述第一多孔层包括多孔硅层，所述第二多孔层包括多孔硅层。

4.根据权利要求1所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：所述背栅层包括重掺杂多晶层，掺杂浓度不低于1e18/cm3。

5.根据权利要求1所述的电子源结构的制作方法，其特征在于：所述第二基板包括半导体晶圆、玻璃基板、金属基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，王诗男，
申请(专利权)人：上海集成电路材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：