【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池,具体涉及一种太阳能电池及其钝化接触结构、电池组件及光伏系统。
技术介绍
1、随着化石燃料的日益衰减,尝试着寻找一种清洁无污染、可持续利用的新型能源,太阳能无疑成为了视野中最为普遍且清洁的可再生能源。太阳能电池是利用光生伏特效应,将光能直接转换为电能的一种器件。太阳能电池主要包括双面太阳能电池和背接触太阳能电池。其中,为了提高双面太阳能电池和背接触太阳能电池的钝化效果,需要在电极位置设置钝化接触结构来提升电池效率。
2、现有技术中,双面太阳能电池及背接触太阳能电池的p区设置有p型掺杂多晶硅层,p区的电极与p型掺杂多晶硅层接触,n区设置有n型掺杂多晶硅层,n区的电极与n型掺杂多晶硅层接触。但是,不管是双面太阳能电池还是背接触太阳能电池,p区和n区采用的钝化接触结构通常为单层掺杂多晶硅层与单层钝化层,在太阳能电池制备工艺中,引入的杂质容易扩散进入硅基底内部,导致太阳能电池钝化效果差,影响太阳能电池效率;而且,电极浆料易烧穿掺杂多晶硅层而影响电池生产良率。
技术实现思路<
...【技术保护点】
1.一种太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,包括依次层叠设置于硅基底表面的第一钝化层、第一掺杂多晶硅层、第二钝化层、第二掺杂多晶硅层;
2.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层的掺杂极性与所述第二掺杂多晶硅层的掺杂极性相同或相反。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层的沉积温度大于所述第二掺杂多晶硅层的沉积温度。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层的扩散温度大于所述第二掺杂多晶硅层的扩散温度。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,包括依次层叠设置于硅基底表面的第一钝化层、第一掺杂多晶硅层、第二钝化层、第二掺杂多晶硅层;
2.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层的掺杂极性与所述第二掺杂多晶硅层的掺杂极性相同或相反。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层的沉积温度大于所述第二掺杂多晶硅层的沉积温度。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层的扩散温度大于所述第二掺杂多晶硅层的扩散温度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层的沉积温度为595~630℃,所述第二掺杂多晶硅层的沉积温度为545~585℃。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层的扩散温度为750~950℃,所述第二掺杂多晶硅层的扩散温度为700~900℃。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层的厚度与所述第二掺杂多晶硅层的厚度比值为0.2~1。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层均为p型掺杂多晶硅,所述第一钝化层的厚度小于所述第二钝化层的厚度。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层均为p型掺杂多晶硅,所述第一掺杂多晶硅层与所述第二掺杂多晶硅层的厚度之和为80~210纳米。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层均为p型掺杂多晶硅,所述第一钝化层的厚度与所述第二钝化层的厚度之和为1.5~4.0纳米。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层均为n型掺杂多晶硅,所述第一掺杂多晶硅层与所述第二掺杂多晶硅层的厚度之和为60~200纳米。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层均为n型掺杂多晶硅,所述第一钝化层的厚度与所述第二钝化层的厚度之和为1.2~3.8纳米。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,还包括:
14.根据权利要求13所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层均为p型掺杂多晶硅,所述第一钝化层的厚度小于所述第二钝化层的厚度,且所述第一钝化层的厚度小于所述第三钝化层的厚度。
15.根据权利要求13所述的太阳能电池钝化接触结构,其特征在于,所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层均为n型掺杂多晶硅,所述第一钝化层的厚度大于所述第二钝化层的厚度,且所述第一钝化层的厚度大于所述第三钝化层的厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨浩成,张生利,王永谦,杨新强,陈刚,
申请(专利权)人:珠海富山爱旭太阳能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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