一种用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种用于光检测应用的a‑IGZO薄膜传感器及其制作方法，涉及半导体技术领域，旨在解决当前X射线成像传感器在灵敏度、电子迁移率和成本方面的技术问题，包括读出电路和TFT阵列基板，读出电路与TFT阵列基板电气连接，用于读取并处理TFT输出的电信号，TFT阵列基板包括衬底和底栅，底栅设于衬底的一侧，且底栅远离衬底的一侧加工形成有栅氧化层，栅氧化层远离底栅的一侧形成有源极和漏极，栅氧化层设有源极和漏极的一侧加工有a‑IGZO半导体层，本发明专利技术通过采用高性能的a‑IGZO TFT技术，通过高电子迁移率显著提升了传感器的灵敏度，使得成像更加清晰，且在成本上具有明显优势，适合大规模生产，从而降低了成本，拓宽了应用领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，更具体地说，涉及一种用于光检测应用的a-igzo薄膜传感器及其制作方法。

技术介绍

1、目前，x射线成像传感器市场以非晶硅tft技术为主流，该技术虽然具备较高的成像质量和较长的使用寿命，但在灵敏度、电子迁移率和成本方面仍有提升空间。相比之下，a-igzo tft技术以其高电子迁移率、低开关噪声和较小的tft尺寸实现较大的填充因子，成为近年来备受关注的新兴技术，鉴于此，我们提出一种用于光检测应用的a-igzo薄膜传感器及其制作方法。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种用于光检测应用的a-igzo薄膜传感器及其制作方法，以解决当前x射线成像传感器在灵敏度、电子迁移率和成本方面的技术问题。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种用于光检测应用的a-igzo薄膜传感器，包括读出电路和tft阵列基板；

3、所述读出电路与tft阵列基板电气连接，用于读取并处理tft输出的电信号；

4、所述tft阵列基板包括衬底和底栅，所述底栅设于衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器，其特征在于，包括读出电路和TFT阵列基板；

2.根据权利要求1所述的一种用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器，其特征在于，所述衬底、底栅、栅氧化层、a-IGZO半导体层、光电转换层、保护层以及源极和漏极共同形成有TFT基板本体，且所述TFT板本体的表面加工形成有保护层。

3.一种a-IGZO薄膜传感器的制作方法，其根据权利要求2所述的一种用于光检测应用的a-IGZO薄膜传感器，其特征在于，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的一种a-IGZO薄膜传感器的制作方法，其特征在于，所述S1衬底准备还包括下列...

【技术特征摘要】

1.一种用于光检测应用的a-igzo薄膜传感器，其特征在于，包括读出电路和tft阵列基板；

2.根据权利要求1所述的一种用于光检测应用的a-igzo薄膜传感器，其特征在于，所述衬底、底栅、栅氧化层、a-igzo半导体层、光电转换层、保护层以及源极和漏极共同形成有tft基板本体，且所述tft板本体的表面加工形成有保护层。

3.一种a-igzo薄膜传感器的制作方法，其根据权利要求2所述的一种用于光检测应用的a-igzo薄膜传感器，其特征在于，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑建军，许沭华，俞良，陈云飞，夏大映，王茹，赵文达，
申请(专利权)人：芜湖长信科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：