【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试，尤其涉及一种高功率半导体器件参数特性测试方法。
技术介绍
1、在以绝缘栅双极晶体管(i gbt)、功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)等为代表的功率半导体产品的制造过程期间的最终测试和各种测试大致分为热阻测试、dc参数测试和ac参数测试。由于用于这些测试中的每一个的测试电路不同，因此通常使用独立的半导体测试装置。
2、功率半导体产品的热阻测试是用于测量封装的热释放特性并保证其质量的测试。此外，在dc参数测试中，测量诸如半导体元件漏电流或导通电压的静态特性。这里，dc参数测试也可以称为dc参数特性测试、静态特性测试，或者使用配置dc特性的名称，称为击穿电压、泄漏电流、正向电压测试、栅极阈值电压值测试等。为了半导体元件dc参数测试的目的，还存在可以共同测试dc特性的dc测试器，或者还包括热阻测试功能的dc/热阻测试器，并且通常使用这些测试器中的一个来执行最终测试和过程中测试。
3、同时，功率半导体产品的ac参数测试是用于测量开关特性等的测试，其以半导体元件执行开关动作时的下降时间...
【技术保护点】
1.一种高功率半导体器件的参数特性检测方法，包括高功率半导体器件的参数特性检测系统，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的高功率半导体器件的参数特性检测方法，其特征在于，所述双脉冲测试方法进一步包括：第一个脉冲开启期间，构成电容正-电感-被测器件-电容负的回路，对负载电感进行储能，在第一个脉冲关断时刻使流过被测器件的电流达到规格书中的测试条件。
3.根据权利要求2所述的高功率半导体器件的参数特性检测方法，其特征在于，所述双脉冲测试方法进一步包括：在所述第一个脉冲结束时刻可以测得器件在规定漏-源电压和漏-源电流下的关断时间并计算关断能量；在第二个...
【技术特征摘要】
1.一种高功率半导体器件的参数特性检测方法，包括高功率半导体器件的参数特性检测系统，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的高功率半导体器件的参数特性检测方法，其特征在于，所述双脉冲测试方法进一步包括：第一个脉冲开启期间，构成电容正-电感-被测器件-电容负的回路，对负载电感进行储能，在第一个脉冲关断时刻使流过被测器件的电流达到规格书中的测试条件。
3.根据权利要求2所述的高功率半导体器件的参数特性检测方法，其特征在于，所述双脉冲测试方法进一步包括：在所述第一个脉冲结束时刻可以测得器件在规定漏-源电压和漏-源电流下的关断时间并计算关断能量；在第二个脉冲开启时刻，器件默认已处于规定的测试条件下，此时进行开通时间和关断能量等参数的测量。
4.根据权利要求3所述的高功率半导体器件的参数特性检测方法，其特征在于，所述双脉冲测试方法进一步包括：所述双脉冲的时间间隔以微秒级计。
5.根据权利要求1所述的高功率半导体器件的参数特性检测方法，其特征在于，所述电流反向恢复测试进一步包括：陪测管的栅极改为正常驱动板，并联在一颗快速恢复二极管；被测器件位置不变，电感负载改为与被测器件并联。
6.根据权利要求5所述的高功率半导体器件的参数特性检测方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏文娟，何立强，
申请(专利权)人：深圳市申拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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