【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例属于芯片封装,具体涉及一种异质芯片封装方法和结构。
技术介绍
1、目前由存储芯片和系统级芯片(soc,system on chip)组成的异质芯片封装中,存储芯片采用硅通孔(tsv,through siliconvia)垂直互连的方式堆叠设置,堆叠的芯片数量越多,其存储容量越大;而存储芯片与系统级芯片则通过将两种芯片平铺于中介层(interposer)实现异质芯片之间的数据传输。
2、随着存储芯片堆叠层数的增加,每一层与前一层之间的对位难度显著提升,为制造工艺带来了较高的难度,从而限制了堆叠层数的增加,影响存储容量的提升,同时采用中介层的方式也无法实现异质芯片间的直接通信。
技术实现思路
1、本公开的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种异质芯片封装方法和结构。
2、本公开的一个方面提供一种异质芯片封装方法,所述方法包括:
3、提供基板、布线模块和异质芯片;其中,所述异质芯片包括第一芯片和第二芯片;
4、将所述
...【技术保护点】
1.一种异质芯片封装方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述塑封所述异质芯片组形成塑封层,并在所述塑封层中形成与所述布线模块电连接的塑封通孔,包括:
3.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述塑封所述异质芯片组形成塑封层,并在所述塑封层中形成与所述布线模块电连接的塑封通孔,包括:
4.根据权利要求1至3任一项所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述第一芯片为系统级芯片,所述第二芯片为存储芯片;
5.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述方
<...【技术特征摘要】
1.一种异质芯片封装方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述塑封所述异质芯片组形成塑封层,并在所述塑封层中形成与所述布线模块电连接的塑封通孔,包括:
3.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述塑封所述异质芯片组形成塑封层,并在所述塑封层中形成与所述布线模块电连接的塑封通孔,包括:
4.根据权利要求1至3任一项所述的异质芯片封装方法,其特征在于,所述第一芯片为系统级芯片,所述第二芯片为存储芯片;
5.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:陶玉娟,朱秋昀,
申请(专利权)人:通富微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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