一种半导体结构及其制备方法技术

本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：芯片单元，芯片单元包括第一区域和位于第一区域外围的第二区域，位于第一区域上的多个第一连接结构和位于第二区域上的多个第二连接结构，其中，相邻的第一连接结构之间的间距小于相邻的第二连接结构之间的间距，主路径，位于第二区域上，主路径两侧相对设置的两个第二连接结构之间的间距大于其他位置处相邻两个第二连接结构之间的间距。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

1、在3ds及hbm产品中，模塑底部填充(molded underfill)技术是一种集成了底部填充和注塑工艺的技术，具有高产出、低成本的优势，然而随着集成度和i/o密度逐步提高，相邻凸块(bump)之间间隙越来越小，特别对于hbm产品，凸块间距(bump space)已经小于20μm，且bump数量很多，一般达到数万颗，紧密排布的bump增加了模塑料(molding compound)材料的流动阻力，给molded underfill技术的底部填充效果带来了巨大挑战，可能会出现填充空隙(void)或流痕(flow mark)等现象，严重时会影响封装可靠性。现有的解决方法有通过增大压缩成型工艺(compression mold process)中合模压力来平衡bump密排造成的流阻的增加，但是合模压力的增加同时也会增加晶圆裂片风险的增加，不是一个安全有效的解决方案。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法。...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：