【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体,具体涉及一种具有腔体自净功能的半导体工艺腔体结构及其自净方法。
技术介绍
1、现有的半导体的等离子去胶设备、等离子刻蚀设备、等离子薄膜沉积设备、半导体清洗设备、炉管设备、涂胶设备等设备(以下简称为机台)在长时间跑货后,机台的反应腔的腔壁、腔体内部件、管路拐角处、蝶阀等阀门处均容易有污垢积累,这些污垢累计到一定程度会影响机台使用,引起down机,也会影响腔内工艺,污染晶圆。通常在累计一定时间后只能通过更换零部件将换下来的污染零部件外送清洗,腔壁这样无法拆除的部分只能手动清洁,这种方式费时、费人力、容易清洁不干净、影响机台效率。
技术实现思路
1、有鉴于此,本专利技术提供了一种具有腔体自净功能的半导体工艺腔体结构及其自净方法,能够解决机台的反应腔内长时间跑货后累计的污垢处理费时、费人力、人工清理容易清理不干净的问题,提升机台效率。
2、本专利技术是通过下述技术方案实现的:
3、一种具有腔体自净功能的半导体工艺腔体结构,在反应腔的原腔体结构基础上增加
...【技术保护点】
1.一种具有腔体自净功能的半导体工艺腔体结构,其特征在于,在反应腔的原腔体结构基础上增加了CO2清洗模块;
2.如权利要求1所述的一种具有腔体自净功能的半导体工艺腔体结构,其特征在于,每个喷嘴均沿水平方向和垂直方向自由旋转180°,每个喷嘴的摆动速率、旋转角度、位置均由控制单元控制。
3.如权利要求1或2所述的一种具有腔体自净功能的半导体工艺腔体结构,其特征在于,多个喷嘴分别安装在腔壳的下腔的腔壁上和管路的蝶阀所在位置的两端,从喷嘴喷出的混合气体使得腔壳的下腔中和管路的蝶阀处积累的污垢脱落,脱落的污垢通过泵抽走排出。
4.如权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种具有腔体自净功能的半导体工艺腔体结构,其特征在于,在反应腔的原腔体结构基础上增加了co2清洗模块;
2.如权利要求1所述的一种具有腔体自净功能的半导体工艺腔体结构,其特征在于,每个喷嘴均沿水平方向和垂直方向自由旋转180°,每个喷嘴的摆动速率、旋转角度、位置均由控制单元控制。
3.如权利要求1或2所述的一种具有腔体自净功能的半导体工艺腔体结构,其特征在于,多个喷嘴分别安装在腔壳的下腔的腔壁上和管路的蝶阀所在位置的两端,从喷嘴喷出的混合气体使得腔壳的下腔中和管路的蝶阀处积累的污垢脱落,脱落的污垢通过泵抽走排出。
4.如权利要求3所述的一种具有腔体自净功能的半导体工艺腔体结构,其特征在于,在腔壳的下腔中布置至少四个喷嘴,四个喷嘴中两两为一组,一组的两个喷嘴呈沿竖直方向的上、下相对布置在腔壳腔壁的同一侧;在管路的蝶阀处布置至少四个喷嘴,四个喷嘴...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈康,王兆祥,吴磊,涂乐义,梁洁,桂智谦,
申请(专利权)人:上海邦芯半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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