【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种2.5d微凸块封装结构和2.5d微凸块封装结构的制备方法。
技术介绍
1、随着半导体行业的快速发展，晶圆制程中的光刻工艺用于在介质层上形成线宽开口，而随着线宽的深宽比越来越小（例如：线路宽度/深度2um/2um-20um/5um等），需要的光刻机的能力越来越高，从i-line高压汞灯光（ 波长356nm） 演变为duv深紫外线灯光(deepultra violet)，包括：krf激光器（波长248nm），arf激光器（波长193nm）， f2激光器（波长157nm），以满足其开口精度要求以及尺寸的缩小的要求。
2、然而，光刻工艺过程中，其光线在介质中传播存在反射以及衍射现象，导致其开口精度不高，同时介质层受反射波长或者衍射波长导致介质层表面存在凹坑，导致后续布线层结合力不佳等问题。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种2.5d微凸块封装结构和2.5d微凸块封装结构的制备方法，能够减缓光线在介质层中的反射以及衍射现象，提升开口精度，同时避免介质层表面存在凹坑，提升了后续布线层的结合力。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了以下方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种2.5d微凸块封装结构，包括：
4、基材，所述基材的一侧表面设置有焊垫；
5、第一介质层，所述第一介质层设置在所述基材设置有焊垫的一侧表面；
6、第一反射层，所述第一反射层设置在所述第一介质层上；
8、第二反射层，所述第二反射层设置在所述第二介质层上；
9、第一布线组合层，所述第一布线组合层设置在所述第二反射层上，并与所述焊垫电连接；
10、第二布线组合层，所述第二布线组合层设置在所述第一布线组合层上，并与所述第一布线组合层电连接；
11、导电凸块，所述导电凸块设置在所述第二布线组合层上，并与所述第二布线组合层电连接；
12、其中，所述第一反射层和所述第二反射层均采用遮光材料，第一布线组合层依次穿过所述第二反射层、所述第二介质层、所述第一反射层和所述第一介质层，并与所述焊垫电接触。
13、在可选的实施方式中，所述第二反射层上设置有开口宽度相同的第一开口和第二开口，所述第一开口对应于所述第二布线组合层，并贯穿所述第二反射层，以使所述第二介质层外露于所述第一开口，所述第一布线组合层填充至所述第一开口，所述第二开口与所述焊垫对应，并贯穿所述第二反射层和所述第二介质层，以使所述第一反射层外露于所述第二开口，所述第二开口内的所述第一反射层上还设置有与所述第二开口对应导通的第三开口，所述第三开口的开口宽度小于所述第二开口的开口宽度，并贯穿所述第一反射层和所述第一介质层，以使所述焊垫外露于所述第三开口，所述第一布线组合层填充至所述第二开口和所述第三开口。
14、在可选的实施方式中，所述第一布线组合层包括缓冲介电层、第一线路层和第一介电层，所述缓冲介电层设置在所述第二反射层上，并填充所述第一开口，且所述缓冲介电层上设置有开口宽度与所述第二开口相同的第四开口，所述第四开口与所述第二开口对应连通，所述第一线路层设置在所述缓冲介电层上，并依次延伸至所述第四开口、第二开口和所述第三开口，且所述第一线路层与所述焊垫电接触，所述第一介电层设置在所述缓冲介电层上，并覆盖所述第一线路层。
15、在可选的实施方式中，所述第一布线组合层包括第一线路层和第一介电层，所述第一线路层设置在所述第二反射层上，并填充所述第一开口，且所述第一线路层依次延伸至所述第二开口和所述第三开口，并与所述焊接电接触，所述第一介质层设置在所述第二反射层上，并覆盖所述第一线路层。
16、在可选的实施方式中，所述第二布线组合层包括第二介电层、第二线路层和第三介电层，所述第二介电层设置在所述第一介电层上，所述第二线路层设置在所述第二介电层上，所述第三介电层设置在所述第二介电层上，并覆盖所述第二线路层，所述第二线路层与所述第一线路层电连接，所述导电凸块嵌入所述第二介电层，并与所述第二线路层电接触。
17、在可选的实施方式中，所述第二介电层和所述第一介电层之间还设置有第三反射层，所述第三反射层采用遮光材料。
18、在可选的实施方式中，所述第二介电层上设置有开口宽度与所述第一开口相同的第五开口，所述第五开口贯通所述第二介电层，以使所述第三反射层外露于所述第五开口，所述第五开口内的所述第三反射层上设置有第六开口，所述第六开口贯通所述第三反射层和所述第一介电层，并与所述第一线路层对应，以使所述第一线路层外露于所述第六开口，且所述第六开口的开口宽度小于所述第五开口的开口宽度，所述第二线路层依次延伸至所述第五开口和所述第六开口，并与所述第一线路层电接触。
19、在可选的实施方式中，所述第一反射层设置有凸块，所述凸块依次穿过所述第二介质层和所述第二反射层，并与所述第一布线组合层连接。
20、在可选的实施方式中，所述基材上还设置有散热凸起，所述散热凸起依次穿过所述第一介质层、所述第一反射层、所述第二介质层、所述第二反射层、所述第一布线组合层和所述第二布线组合层，其中，所述散热凸起远离所述基材的一端与所述第二布线组合层远离所述基材的一端相平齐。
21、在可选的实施方式中，所述2.5d微凸块封装结构还包括封装芯片和塑封层，所述封装芯片设置在所述第二布线组合层远离所述基材的一侧，并与所述导电凸块焊接，所述塑封层设置在所述第二布线组合层上，并包覆在所述封装芯片外。
22、在可选的实施方式中，所述基材包括金属层和第三介质层，所述金属层连接至所述焊垫，所述第三介质层包覆在所述金属层外，且所述第三介质层上还设置有焊球，所述焊球与所述金属层连接。
23、第二方面，本专利技术提供一种2.5d微凸块封装结构的制备方法，用于制备如前述实施方式所述的2.5d微凸块封装结构，所述制备方法包括：
24、提供一基材，所述基材的一侧表面设置有焊垫；
25、在所述基材的一侧表面形成覆盖所述焊垫的第一介质层；
26、在所述第一介质层上形成第一反射层；
27、在所述第一反射层上形成第二介质层；
28、在所述第二介质层上形成第二反射层；
29、在所述第二反射层上开槽；
30、在所述第二反射层上形成与所述焊垫电连接的第一布线组合层；
31、在所述第一布线组合层上形成与所述第一布线组合层电连接的第二布线组合层；
32、在所述第二布线组合层上形成与所述第二布线组合层电连接的导电凸块；
33、其中，所述第一反射层和所述第二反射层均采用遮光材料，第一布线组合层依次穿过所述第二反射层、所述第二介质层、所述第一反射层和所述第一介质层，并与所述焊垫电接触。
34、在可选的实施方式中，在所述第二反射层上开槽本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种2.5D微凸块封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述第二反射层上设置有开口宽度相同的第一开口和第二开口，所述第一开口对应于所述第二布线组合层，并贯穿所述第二反射层，以使所述第二介质层外露于所述第一开口，所述第一布线组合层填充至所述第一开口，所述第二开口与所述焊垫对应，并贯穿所述第二反射层和所述第二介质层，以使所述第一反射层外露于所述第二开口，所述第二开口内的所述第一反射层上还设置有与所述第二开口对应导通的第三开口，所述第三开口的开口宽度小于所述第二开口的开口宽度，并贯穿所述第一反射层和所述第一介质层，以使所述焊垫外露于所述第三开口，所述第一布线组合层填充至所述第二开口和所述第三开口。
3.根据权利要求2所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述第一布线组合层包括缓冲介电层、第一线路层和第一介电层，所述缓冲介电层设置在所述第二反射层上，并填充所述第一开口，且所述缓冲介电层上设置有开口宽度与所述第二开口相同的第四开口，所述第四开口与所述第二开口对应连通，所述第一线路层设置在所述缓冲介电层上，并
4.根据权利要求2所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述第一布线组合层包括第一线路层和第一介电层，所述第一线路层设置在所述第二反射层上，并填充所述第一开口，且所述第一线路层依次延伸至所述第二开口和所述第三开口，并与所述焊垫电接触，所述第一介质层设置在所述第二反射层上，并覆盖所述第一线路层。
5.根据权利要求3或4所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述第二布线组合层包括第二介电层、第二线路层和第三介电层，所述第二介电层设置在所述第一介电层上，所述第二线路层设置在所述第二介电层上，所述第三介电层设置在所述第二介电层上，并覆盖所述第二线路层，所述第二线路层与所述第一线路层电连接，所述导电凸块嵌入所述第二介电层，并与所述第二线路层电接触。
6.根据权利要求5所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述第二介电层和所述第一介电层之间还设置有第三反射层，所述第三反射层采用遮光材料。
7.根据权利要求6所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述第二介电层上设置有开口宽度与所述第一开口相同的第五开口，所述第五开口贯通所述第二介电层，以使所述第三反射层外露于所述第五开口，所述第五开口内的所述第三反射层上设置有第六开口，所述第六开口贯通所述第三反射层和所述第一介电层，并与所述第一线路层对应，以使所述第一线路层外露于所述第六开口，且所述第六开口的开口宽度小于所述第五开口的开口宽度，所述第二线路层依次延伸至所述第五开口和所述第六开口，并与所述第一线路层电接触。
8.根据权利要求1所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述第一反射层设置有凸块，所述凸块依次穿过所述第二介质层和所述第二反射层，并与所述第一布线组合层连接。
9.根据权利要求1所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述基材上还设置有散热凸起，所述散热凸起远离所述基材的一端与所述第二布线组合层远离所述基材的一端相平齐。
10.根据权利要求1所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述2.5D微凸块封装结构还包括封装芯片和塑封层，所述封装芯片设置在所述第二布线组合层远离所述基材的一侧，并与所述导电凸块焊接，所述塑封层设置在所述第二布线组合层上，并包覆在所述封装芯片外。
11.根据权利要求10所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述基材包括金属层和第三介质层，所述金属层连接至所述焊垫，所述第三介质层包覆在所述金属层外，且所述第三介质层上还设置有焊球，所述焊球与所述金属层连接。
12.一种2.5D微凸块封装结构的制备方法，用于制备如权利要求1所述的2.5D微凸块封装结构，其特征在于，所述制备方法包括：
13.根据权利要求12所述的2.5D微凸块封装结构的制备方法，其特征在于，在所述第二反射层上开槽的步骤，包括：
14.根据权利要求12所述的2.5D微凸块封装结构的制备方法，其特征在于，在所述第二反射层上形成与所述焊垫电连接的第一布线组合层的步骤之后，所述制备方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种2.5d微凸块封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的2.5d微凸块封装结构，其特征在于，所述第二反射层上设置有开口宽度相同的第一开口和第二开口，所述第一开口对应于所述第二布线组合层，并贯穿所述第二反射层，以使所述第二介质层外露于所述第一开口，所述第一布线组合层填充至所述第一开口，所述第二开口与所述焊垫对应，并贯穿所述第二反射层和所述第二介质层，以使所述第一反射层外露于所述第二开口，所述第二开口内的所述第一反射层上还设置有与所述第二开口对应导通的第三开口，所述第三开口的开口宽度小于所述第二开口的开口宽度，并贯穿所述第一反射层和所述第一介质层，以使所述焊垫外露于所述第三开口，所述第一布线组合层填充至所述第二开口和所述第三开口。
3.根据权利要求2所述的2.5d微凸块封装结构，其特征在于，所述第一布线组合层包括缓冲介电层、第一线路层和第一介电层，所述缓冲介电层设置在所述第二反射层上，并填充所述第一开口，且所述缓冲介电层上设置有开口宽度与所述第二开口相同的第四开口，所述第四开口与所述第二开口对应连通，所述第一线路层设置在所述缓冲介电层上，并依次延伸至所述第四开口、第二开口和所述第三开口，且所述第一线路层与所述焊垫电接触，所述第一介电层设置在所述缓冲介电层上，并覆盖所述第一线路层。
4.根据权利要求2所述的2.5d微凸块封装结构，其特征在于，所述第一布线组合层包括第一线路层和第一介电层，所述第一线路层设置在所述第二反射层上，并填充所述第一开口，且所述第一线路层依次延伸至所述第二开口和所述第三开口，并与所述焊垫电接触，所述第一介质层设置在所述第二反射层上，并覆盖所述第一线路层。
5.根据权利要求3或4所述的2.5d微凸块封装结构，其特征在于，所述第二布线组合层包括第二介电层、第二线路层和第三介电层，所述第二介电层设置在所述第一介电层上，所述第二线路层设置在所述第二介电层上，所述第三介电层设置在所述第二介电层上，并覆盖所述第二线路层，所述第二线路层与所述第一线路层电连接，所述导电凸块嵌入所述第二介电层，并与所述第二线路层电接触。
6.根据权利要求5所述的2.5d微凸块封装结...
【专利技术属性】
技术研发人员：何正鸿，
申请(专利权)人：甬矽半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：
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