垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管制造技术

技术编号:43408913 阅读:19 留言:0更新日期:2024-11-22 17:46
本申请实施例提供了一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,包括:衬底和外延层,外延层位于所述衬底的上方;两个第二掺杂类型的底栅,形成于外延层内且在横向间隔设置;第二掺杂类型的组合式顶栅,顶栅包括顶栅内区和顶栅外区,顶栅内区自上而下形成在所述外延层内,顶栅外区包围在顶栅内区的底面和侧面,且顶栅外区和所述底栅之间具有间隔;其中,顶栅外区的掺杂浓度小于顶栅内区的掺杂浓度,顶栅处于浮空状态;介质层,位于所述顶栅之上的位置;耦合电容上电极,形成在所述介质层之上。本申请解决了传统的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管的工艺窗口极小的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体,具体地,涉及一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管


技术介绍

1、如图1所示,专利cn117637854b中的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管的顶栅8,几乎没有工艺窗口,制造难度极大。其中,衬底1-1,外延层1-2,底栅1-3,第二掺杂类型源区1-4,沟道一1-5,沟道二1-6,第一掺杂类型源区1-7,顶栅1-8,介质层1-9,耦合电容上电极1-10,源极1-12,漏极1-13。

2、专利cn117637854b中的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管的存在的问题:

3、(1)顶栅1-8的工艺窗口小,制造难度大。

4、(2)高温下的导通电阻ron,sp是常温的几十倍,而实际应用需要高温下的导通电阻ron,sp是常温的3倍以内。

5、因此,传统的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管的工艺窗口极小,是本领域技术人员急需要解决的技术问题。

6、在
技术介绍
中公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。


<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,其特征在于,所述顶栅外区(82)的横截面为U型,所述顶栅外区(82)的内底包裹在所述顶栅内区(81)的底面,顶栅外区(82)的内壁包裹在顶栅内区(81)的侧面。

3.根据权利要求2所述的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,其特征在于,所述顶栅外区(82)的掺杂浓度比所述顶栅内区(81)的掺杂浓度低1到2个数量级。

4.根据权利要求2所述的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,其特征在于,所述顶栅外区(82)掺杂浓度的取值范围为大于等...

【技术特征摘要】

1.一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,其特征在于,所述顶栅外区(82)的横截面为u型,所述顶栅外区(82)的内底包裹在所述顶栅内区(81)的底面,顶栅外区(82)的内壁包裹在顶栅内区(81)的侧面。

3.根据权利要求2所述的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,其特征在于,所述顶栅外区(82)的掺杂浓度比所述顶栅内区(81)的掺杂浓度低1到2个数量级。

4.根据权利要求2所述的垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,其特征在于,所述顶栅外区(82)掺杂浓度的取值范围为大于等于2×1017cm-3小于等于5×1018cm-3,所述顶栅内区(81)掺杂浓度的取值范围为大于等于2×1018cm-3小于等于4×1020cm-3。

5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘秘
申请(专利权)人:苏州龙驰半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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