【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造,具体是一种半导体离子注入机晶片精准定位设备。
技术介绍
1、离子注入是一种向衬底中引入可控制数量的杂质,以改变其电学性能的方法,其在现代硅片制造过程中有广泛应用,其中最主要的用途是掺杂半导体,进而改变半导体的载流子浓度和导电类型,在晶片的离子注入工艺中,需要采用离子注入机对晶片进行加工,此过程中,需要对晶片进行稳定夹持以及旋转加工,现有的晶片定位设备在对晶片夹持定位后,无法根据加工要求对晶片的位置和方向进行调整。
2、现有公开号为cn116387223b的中国专利,其公开了一种用于离子注入机的晶片缺口定位结构,其通过放置组件、放置盘以及下压组件能够对不同规格的晶片进行稳定的夹持,并设置第一电机、第一转轴、第一伸缩杆以及第一支撑板,使得放置组件与放置盘的位置调整更加的方便,通过驱动装置改变晶片在离子注入机中的位置,进而方便离子注入机对不同大小的晶片均进行有效加工。
3、上述专利虽能够对不同规格大小的晶片进行稳定夹持和加工,但不具备上料功能,在加工时需要人工手动夹持,效率较低,且在离子注入的
...【技术保护点】
1.一种半导体离子注入机晶片精准定位设备,其特征在于:包括注入机机体(1)、支撑架(2)、夹持机构(3)、上料机构(4)以及输送机构(5),其中,所述支撑架(2)固定设置在所述注入机机体(1)的一侧,所述支撑架(2)上开设有滑轨(21),所述夹持机构(3)滑动设置在所述滑轨(21)中,所述上料机构(4)滑动设置在所述夹持机构(3)上方,所述输送机构(5)设置在所述夹持机构(3)的两侧用于输送晶片;
2.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入机晶片精准定位设备,其特征在于:所述支撑架(2)底部固定设置有支板(22),所述支板(22)上开设有滑槽;
【技术特征摘要】
1.一种半导体离子注入机晶片精准定位设备,其特征在于:包括注入机机体(1)、支撑架(2)、夹持机构(3)、上料机构(4)以及输送机构(5),其中,所述支撑架(2)固定设置在所述注入机机体(1)的一侧,所述支撑架(2)上开设有滑轨(21),所述夹持机构(3)滑动设置在所述滑轨(21)中,所述上料机构(4)滑动设置在所述夹持机构(3)上方,所述输送机构(5)设置在所述夹持机构(3)的两侧用于输送晶片;
2.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入机晶片精准定位设备,其特征在于:所述支撑架(2)底部固定设置有支板(22),所述支板(22)上开设有滑槽;
3.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入机晶片精准定位设备,其特征在于:所述支撑座(33)上呈圆周开设有多个直槽(331),所述直槽(331)中滑动设置有卡块(36),所述卡块(36)底部固定设置有卡杆(361);
4.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入机晶片精准定位设备,其特征在于:所述转轴(34)上开设有槽口(341),所述槽口(341)中转动设置有齿轮二(342),所述转盘二(32)内侧设置有齿圈二(322),所述齿轮二(342)与所述齿圈二(322)啮合,所述转轴(34)中嵌入有用于驱动所述齿轮二(342)的电机三。
5.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入机晶片精准定位设备,其特征在于:所述上料机构(4)包括支架(41)、滑座(42)以及支杆(43),其中,所述支架(4...
【专利技术属性】
技术研发人员:方明江,蔡成振,
申请(专利权)人:无锡诚承电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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