【技术实现步骤摘要】
本文涉及但不限于显示,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、液晶显示装置(liquid crystal display,简称lcd)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,已得到迅速发展。液晶显示面板包括对盒(cell)的薄膜晶体管阵列(thin filmtransistor,简称tft)基板和彩膜(color filter,简称cf)基板,液晶(liquid crystal,简称lc)分子设置在阵列基板和彩膜基板之间,通过控制公共电极和像素电极来形成驱动液晶偏转的电场,实现灰阶显示。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本申请提供了一种显示基板,包括基底、有源层、第一栅极以及至少一个源漏极,所述有源层设置在所述基底上,所述第一栅极设置在所述有源层远离所述基底一侧,所述至少一个源漏极设置在所述第一栅极远离所述基底一侧,所述有源层与所述至少一个源漏极之间设置有至少一个过孔,所述至少一个源漏极通过所述至少
...【技术保护点】
1.一种显示基板,其特征在于,包括基底、有源层、第一栅极以及至少一个源漏极,所述有源层设置在所述基底上,所述第一栅极设置在所述有源层远离所述基底一侧,所述至少一个源漏极设置在所述第一栅极远离所述基底一侧,所述有源层与所述至少一个源漏极之间设置有至少一个过孔,所述至少一个源漏极通过所述至少一个过孔与所述有源层连接,所述显示基板还包括至少一个遮光结构,所述至少一个遮光结构设置在所述有源层靠近所述基底一侧,所述至少一个遮光结构在所述基底的正投影包含所述至少一个过孔在所述基底的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个源漏极包括作为第一极
...【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括基底、有源层、第一栅极以及至少一个源漏极,所述有源层设置在所述基底上,所述第一栅极设置在所述有源层远离所述基底一侧,所述至少一个源漏极设置在所述第一栅极远离所述基底一侧,所述有源层与所述至少一个源漏极之间设置有至少一个过孔,所述至少一个源漏极通过所述至少一个过孔与所述有源层连接,所述显示基板还包括至少一个遮光结构,所述至少一个遮光结构设置在所述有源层靠近所述基底一侧,所述至少一个遮光结构在所述基底的正投影包含所述至少一个过孔在所述基底的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个源漏极包括作为第一极的信号线,所述至少一个过孔包括第一过孔,所述第一过孔设置在所述有源层与所述信号线之间,所述信号线通过所述第一过孔与所述有源层连接,所述至少一个遮光结构包括第一遮光结构,所述第一遮光结构在所述基底的正投影包含所述第一过孔在所述基底的正投影。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一过孔具有第一宽度,所述第一遮光结构具有第二宽度,所述第一宽度和所述第二宽度满足如下公式:所述第二宽度与所述第一宽度之差等于2倍的偏差均值,所述第一宽度是所述第一过孔第一方向上的最大尺寸,所述第二宽度是所述第一遮光结构第一方向上的最小尺寸,所述偏差均值为0.4微米至0.6微米,所述第一方向为垂直于所述信号线的方向。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一遮光结构的边缘与所述第一过孔的边缘之间具有第一间距,所述第一间距大于或等于0.1微米,小于或等于1微米;其中,所述第一间距是所述第一遮光结构在所述基底的正投影中第一方向一侧的边缘与所述第一过孔在基底的正投影中所述第一方向一侧边缘之间的最小距离,或者,所述第一间距是所述第一遮光结构在所述基底的正投影中第一方向反方向一侧的边缘与所述第一过孔在基底的正投影中所述第一方向反方向一侧边缘之间的最小距离;所述第一方向为垂直于所述信号线的方向。
5.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个源漏极...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁鹏,陈凯,陈延青,王宁,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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