【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例属于芯片封装，具体涉及一种异质芯片封装方法和结构。
技术介绍
1、目前由存储芯片和系统级芯片(soc，system on chip)组成的异质芯片封装中，存储芯片采用硅通孔(tsv，through siliconvia)垂直互连的方式堆叠设置，堆叠的芯片数量越多，其存储容量越大；而存储芯片与系统级芯片则通过将两种芯片平铺于中介层(interposer)实现异质芯片之间的数据传输。
2、随着存储芯片堆叠层数的增加，每一层与前一层之间的对位难度显著提升，为制造工艺带来了较高的难度，从而限制了堆叠层数的增加，影响存储容量的提升，同时采用中介层的方式也无法实现异质芯片间的直接通信。
技术实现思路
1、本公开的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种异质芯片封装方法和结构。
2、本公开的一个方面提供一种异质芯片封装方法，所述方法包括：
3、提供基板、载板、硅桥和异质芯片；其中，所述异质芯片包括第一芯片和第二芯片；
4、在所...
【技术保护点】
1.一种异质芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法，其特征在于，所述使所述第一导电柱形成塑封通孔，包括：
3.根据权利要求2所述的异质芯片封装方法，其特征在于，在去除所述延长柱之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求1至3任一项所述的异质芯片封装方法，其特征在于，所述第一芯片为系统级芯片，所述第二芯片为存储芯片；
5.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的异质芯片封装方法，其特征在于，所述方法还包括：
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