【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置。
技术介绍
1、沟槽肖特基二极管，作为高性能电力电子器件中的关键组件，以其低正向压降、高开关速度和出色的温度特性，在高频开关电路、电源管理以及逆变器等方面展现出优异的性能。目前常用的沟槽肖特基二极管能效分析方法主要包括经验模型法、实验测试法和简化仿真模型法。经验模型法依赖于历史数据和经验公式来估计能效，虽简便快捷，但往往缺乏精确性。实验测试法通过在不同条件下对二极管进行实际测试来评估其能效，能提供较准确的结果，但难以覆盖所有可能的应用场景且成本高。简化仿真模型法虽比经验模型精确，但无法捕捉到复杂的物理现象。
2、上述这些方法更倾向于在理想条件下分析器件的能效，往往简化了实际工作环境的复杂性，无法充分考虑不同应用场景对器件性能的影响。更重要的是，这些方法忽略了寄生参数（如寄生电容和电阻）对能效的负面影响，导致评估结果与实际应用存在较大偏差。这种理想化的分析方式虽易于操作，但却未能全面反映沟槽肖特基二极管在真实环境中的能效表现，限制了对其性能瓶颈的深入理解，阻碍...
【技术保护点】
1.沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述应用场景集合包括高频开关电源场景、太阳能逆变器场景、汽车电气系统场景、无线通信基站设备场景。
3.如权利要求2所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述对所述应用场景集合进行能效关联参数的关键度分析，建立与应用场景集合映射的关键能效参数，还包括：
4.如权利要求1所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述利用理想能效表现和场景能效测试结果建立场景能效和寄生能效损失，还包括：p>
5.如权利...
【技术特征摘要】
1.沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述应用场景集合包括高频开关电源场景、太阳能逆变器场景、汽车电气系统场景、无线通信基站设备场景。
3.如权利要求2所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述对所述应用场景集合进行能效关联参数的关键度分析，建立与应用场景集合映射的关键能效参数，还包括：
4.如权利要求1所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述利用理想能效表现和场景能效测试结果建...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢刚，徐显修，
申请(专利权)人：浙江广芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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