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本申请提供了沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置，涉及半导体制造技术领域，包括：建立沟槽肖特基二极管的应用场景集合，并进行能效关联参数的关键度分析，建立关键能效参数；配置理想仿真模型进行应用场景集合的模拟测试，记录模拟测试结果，建立沟槽肖特...
该专利属于浙江广芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江广芯微电子有限公司授权不得商用。

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