【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶体生长,具体涉及一种直拉式晶体生长炉自动控制方法、系统、设备及介质。
技术介绍
1、在晶体生产领域,收尾工序是决定晶体最终质量的关键环节之一,收尾工序下往往通过提高提拉速度、提高加热温度的方式加速晶体快速收尾,然而,相较于当前提拉速度或加热温度,在收尾工序下提拉速度和加热温度到底升高多少量,怎么升高,往往依赖于人员经验设置。
2、传统方法中,对于温度敏感的晶体材料,如果加热温度升高超出一定值,晶体材料就会发生改性,严重影响其性能和质量。例如,在某些半导体晶体的生产中,可能导致晶体的电学性能发生显著变化,从而使其无法满足高端电子设备的要求。
3、同样,对于速度敏感的晶体材料,如果提拉速度升高超出一定值,会对晶体尾端质量产生不利影响。比如,在制造光学晶体时,提拉速度过快可能导致晶体内部出现应力分布不均,进而影响其光学性能,降低光的透过率和折射率等关键指标。
4、综上所述,现有的晶体收尾工序中,基于人员经验调整工艺参数的方式存在较大的不确定性和不稳定性,严重制约了晶体产品的质量和性能的提升。
...【技术保护点】
1.一种直拉式晶体生长炉自动控制方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法,其特征在于,所述收尾工艺参数包括一组仅包含所述加热温度升高幅度的第一收尾工艺参数、一组仅包含所述提拉速度升高幅度的第二收尾工艺参数、和若干组包含所述加热温度升高幅度和所述提拉速度升高幅度的第三收尾工艺参数;
3.根据权利要求2所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法,其特征在于,该方法还包括构建所述收尾工艺集合,所述构建所述收尾工艺集合至少包括以下步骤:
4.根据权利要求2所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法,其特征在于:
...【技术特征摘要】
1.一种直拉式晶体生长炉自动控制方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法,其特征在于,所述收尾工艺参数包括一组仅包含所述加热温度升高幅度的第一收尾工艺参数、一组仅包含所述提拉速度升高幅度的第二收尾工艺参数、和若干组包含所述加热温度升高幅度和所述提拉速度升高幅度的第三收尾工艺参数;
3.根据权利要求2所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法,其特征在于,该方法还包括构建所述收尾工艺集合,所述构建所述收尾工艺集合至少包括以下步骤:
4.根据权利要求2所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法,其特征在于:由所述第一温度敏感度区间和所述第二速度敏感度区间组成的使用条件为低敏使用条件,所述低敏使用条件对应有多组所述第三收尾工艺参数;
5.根据权利要求4所述的直拉式晶体生长炉自动控制方法,其特征在于:所述目标尾端特征还包括尾端的目标杂质含量;在判断匹配到的所述使用条件是否为所述低敏使用条件之后,该方法还包括以下步骤:
6.根据权利要求5所述的直拉式晶体生长炉自动控...
【专利技术属性】
技术研发人员:李再兴,李端科,王剑刚,
申请(专利权)人:中能兴盛香河机电设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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