【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器因其体积小、传输速度快、集成度高等特点被广泛应用于手机、平板电脑等智能设备上。随着终端设备尺寸的不断减小，存储器的尺寸也不断微缩，导致存储器在结构上会存在一些缺陷。
2、目前，由于器件尺寸的限制，用于制备器件的晶圆有源区的表面积也随之减小，导致器件的良率较低。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，可提高衬底用于形成有源区的表面积，且防止隔离槽的深度不足导致器件的制造缺陷，提高器件的良率。
2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
3、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构的形成方法，该形成方法包括：
4、提供衬底；p>
5、在所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述种子气体为二氯硅烷气体，所述固态物质为硅原子颗粒。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述目标薄膜的厚度沿远离所述衬底的方向递增。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含硅气体分解为所述固态物质和所述第一气体之前，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含硅气体包括乙硅烷，所述第一气体包括氢气，所述第二气体包括甲硅烷，所述第三气体包
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述种子气体为二氯硅烷气体，所述固态物质为硅原子颗粒。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述目标薄膜的厚度沿远离所述衬底的方向递增。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含硅气体分解为所述固态物质和所述第一气体之前，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含硅气体包括乙硅烷，所述第一气体包括氢气，所述第二气体包括甲硅烷，所述第三气体包...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭琦，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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