磁存储器及其制备方法技术

本申请提供一种磁存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决磁存储器的抗磁能力不佳的技术问题，该磁存储器包括衬底、设置于衬底上的磁隧道结、设置于磁隧道结上的顶电极和设置于顶电极上的钝化层；顶电极与磁隧道结电性连接，顶电极被构造为呈预设图形，依据顶电极的形状以及磁隧道结的磁致伸缩系数来设置钝化层的应力，以增大磁隧道结的矫顽场。本申请能够提升诱导磁隧道结的磁各向异性的效果，增强磁隧道结的矫顽场性能，从而提高磁存储器的抗磁能力，提升数据存储的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种磁存储器及其制备方法。

技术介绍

1、磁隧道结（magnetic tunnel junction，简称mtj）作为磁存储器的核心结构单元，其特征尺寸的大小决定着磁存储器的存储容量和工作效率，磁隧道结需要通过磁各向异性达到数据稳定存储的目的。

2、相关技术中，在磁隧道结的上方设置高应力的导电硬掩膜层，以产生磁各向异性；或者，通过使磁隧道结的长轴尺寸和短轴尺寸具有一定的长宽比，以产生磁各向异性；又或者，在磁隧道结的下方设置高应力的电极层，以产生磁各向异性。

3、然而，相关技术中，存在磁隧道结的矫顽场性能较低，导致磁存储器的抗磁能力不佳，数据存储稳定性差的技术问题。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请实施例提供一种磁存储器及其制备方法，能够提升诱导磁隧道结的磁各向异性的效果，增强磁隧道结的矫顽场性能，从而提高磁存储器的抗磁能力，提升数据存储的稳定性。

2、为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：

3、本申请实施例提供一种磁存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结的磁致伸缩系数大于零；

3.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结的磁致伸缩系数大于零；

4.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结的磁致伸缩系数小于零；

5.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结的磁致伸缩系数小于零；

6.根据权利要求1-5中任一项所述的磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结的轮廓形状包括椭圆、圆形、矩形、正方形中的至少一者。

7.根据权利要求1-5中任一项所...

【技术特征摘要】

1.一种磁存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结的磁致伸缩系数大于零；

3.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结的磁致伸缩系数大于零；

4.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结的磁致伸缩系数小于零；

5.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁隧道结的磁致伸缩系数小于零；

6.根据权利要求1-5中任一项所述的磁存储器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李云鹏，李晓云，刘宏喜，王戈飞，
申请(专利权)人：青岛海存微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：