图像传感器及图像传感器的制备方法技术

本公开涉及一种图像传感器及图像传感器的制备方法，图像传感器的制备方法包括：在衬底的第一面形成有源区、光电转换区、以及隔离有源区和光电转换区的第一隔离结构；在衬底的第一面上形成读出电路；从衬底的第二面减薄衬底，直到露出N型区；从衬底的第二面刻蚀N型区，以形成与P型区对应的多个环状沟槽和多个第二N型柱，并在多个环状沟槽内填充第二隔离结构；其中，多个第二N型柱与多个第一N型柱一一对应且相互接触。这样，在同样面积的光电转换区中可以设置更多的光电二极管，从而提高图像传感器的像素密度。同时，电容器可以具有更大的电容，进而，能够提高图像传感器的动态范围。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体领域，具体涉及一种图像传感器及图像传感器的制备方法。

技术介绍

1、动态范围(dynamic range，dr)是决定互补金属氧化物半导体(complementarymetal oxide semiconductor，cmos)图像传感器性能的重要参数之一。传统cmos图像传感器使用双转换增益(dual conversion gain，dcg)来改善动态范围，从而，图像传感器可以具有高动态范围，进而，改善图像传感器在所有光照条件下对物体的精确感知。然而，随着规模的缩小，cmos图像传感器很难保持大电容，从而限制了cmos图像传感器的动态范围。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种图像传感器及图像传感器的制备方法，以提高cmos图像传感器的动态范围。

2、本专利技术的技术方案是这样实现的：

3、本公开实施例公开了一种图像传感器的制备方法，包括：在衬底的第一面形成有源区、光电转换区、以及隔离有源区和光电转换区的第一隔离结构；其中，光电转换区包括n型区和设置在n本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述读出电路还包括位于所述P型区中的多个浮置扩散区；

3.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述第二隔离结构延伸至所述P型区内。

4.根据权利要求2所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述垂直沟道晶体管为传输晶体管；所述传输晶体管包括：第一栅极结构和半导体通道；

5.根据权利要求4所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，多个所述平面晶体管包括：增益开关晶体管、选择晶体管、源极跟随晶体管和复位晶体管；

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【技术特征摘要】

1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述读出电路还包括位于所述p型区中的多个浮置扩散区；

3.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述第二隔离结构延伸至所述p型区内。

4.根据权利要求2所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述垂直沟道晶体管为传输晶体管；所述传输晶体管包括：第一栅极结构和半导体通道；

5.根据权利要求4所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，多个所述平面晶体管包括：增益开关晶体管、选择晶体管、源极跟随晶体管和复位晶体管；

6.根据权利要求5所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，在所述衬底的第一面上形成所述读出电路，还包括：

7.根据权利要求5所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，在所述衬底的第一面上形成所述读出电路，还包括：

8.根据权利要求1所述的图像传感器的制备方法，在所述衬底的第二面上形成彩色滤波器阵列和微透镜阵列；其中，所述彩色滤波器阵列包括多个滤色片；所述微透镜阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓杰芳，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：

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