【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路，尤其涉及一种电阻结构。
技术介绍
1、在现有技术中，常用的电阻包括poly电阻、nwell电阻、pdiff电阻以及ndiff电阻。然而，这些电阻都存在一些缺点。
2、poly电阻包括p型衬底和位于p型衬底上的poly层，poly层和p型衬底无寄生二极管，可以耐高压，但是其过电流能力差。此外，poly电阻的方阻值在几欧姆到几千欧姆不等。
3、nwell电阻由p型衬底和位于p型衬底上的nwell层组成，nwell层和p型衬底之间形成寄生二极管。nwell电阻有较强的过电流能力，可耐高压，但是方阻值较大，在几百欧姆到上千欧姆不等，为了实现较小的电阻，需要并联多个nwell电阻，导致占用面积较大。
4、pdiff电阻由p型衬底、nwell层和pdiff层组成，pdiff层位于nwell层上，nwell层位于p型衬底上，pdiff层和nwell层形成寄生二极管。pdiff电阻具有较强的过电流能力和较小的方阻值，做小电阻方便，占用面积小，但是，pdiff电阻不可耐高压，在标准5v cmo...
【技术保护点】
1.一种电阻结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电阻结构，其特征在于，所述的第一端口包含N个孔，N由以下公式确定：
【技术特征摘要】
1.一种电阻结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁佩俊，孙占龙，
申请(专利权)人：深圳市美矽微半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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