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本申请公开了一种电阻结构，包括：P型衬底，NWELL层，NWELL层设置在P型衬底上，NDIFF层，NDIFF层设置在NWELL层上，NDIFF层包括两个第一端口，两个第一端口位于分别设置于NDIFF层两端，两个第一端口用于接工作电压，其中...
该专利属于深圳市美矽微半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市美矽微半导体股份有限公司授权不得商用。

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