半导体结构、半导体结构的制造方法及NMOS晶体管技术

本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及NMOS晶体管，该半导体结构内形成有源漏掺杂区和P型掺杂阱区；其中，P型掺杂阱区内与源漏掺杂区相邻的区域形成有掺杂过渡区；其中，掺杂过渡区的掺杂浓度小于源漏掺杂区的掺杂浓度，大于P型掺杂阱区的掺杂浓度，并且掺杂过渡区的掺杂浓度沿着远离源漏掺杂区的方向减小；掺杂过渡区中掺杂有第一离子和第二离子；第一离子的相对原子质量大于形成P型掺杂阱区的掺杂离子的相对原子质量或相对分子质量；第二离子与第一离子不同，且第二离子的相对分子质量小于第一离子的相对原子质量。通过本申请实施例，提升了对CMOS器件的结漏电抑制效果和阈值电压调节效果，降低了改善CMOS器件性能的难度。

【技术实现步骤摘要】

本申请中实施例涉及半导体制造，具体涉及一种半导体结构、半导体结构的制造方法及nmos晶体管。

技术介绍

1、在半导体制造工艺中，互补金属氧化物半导体（complementary metal oxidesemiconduct-or，cmos）技术是芯片设计和制造的重要基础。cmos技术允许在单个芯片上同时制造n型和p型金属氧化物半导体场效应晶体管（metal oxide semiconductor fieldeffect transistor，mosfet），通过n型mosfet和p型mosfet的互补实现低功耗和高速度的逻辑电路。

2、cmos器件包括晶体管、电阻、电容和二极管等多种器件，可以利用各种不同类型的离子注入形成不同类型和设计电性的cmos器件，进而组成不同的门电路，逐步形成完整的cmos芯片。一个cmos芯片可以包含数百万至数十亿个cmos器件，其中，nmos晶体管作为cmos芯片的核心元件，其性能直接影响到整个芯片的运行效率、可靠性和使用寿命。

3、漏电程度和阈值电压是cmos器件的两个关键性能指标，cmos器件的漏电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构内形成有源漏掺杂区和P型掺杂阱区；

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一离子为铟离子。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二离子为二氟化硼离子。

4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂过渡区包括掺杂有第一离子的第一离子掺杂区；其中，所述第一离子掺杂区包括第一重叠掺杂区和第一非重叠掺杂区；所述第一重叠掺杂区的掺杂浓度大于所述第一非重叠掺杂区的掺杂浓度，且所述第一重叠掺杂区与所述第一非重叠掺杂区按照沿着远离所述源漏掺杂区的方向掺杂浓度减小的次序排列。...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构内形成有源漏掺杂区和p型掺杂阱区；

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一离子为铟离子。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二离子为二氟化硼离子。

4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂过渡区包括掺杂有第一离子的第一离子掺杂区；其中，所述第一离子掺杂区包括第一重叠掺杂区和第一非重叠掺杂区；所述第一重叠掺杂区的掺杂浓度大于所述第一非重叠掺杂区的掺杂浓度，且所述第一重叠掺杂区与所述第一非重叠掺杂区按照沿着远离所述源漏掺杂区的方向掺杂浓度减小的次序排列。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂过渡区包括第二重叠掺杂区和第二非重叠掺杂区；其中，所述第二重叠掺杂区掺杂有第一离子和第二离子，所述第二非重叠掺杂区为所述掺杂过渡区中除所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯亚，郭廷晃，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：