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本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及NMOS晶体管，该半导体结构内形成有源漏掺杂区和P型掺杂阱区；其中，P型掺杂阱区内与源漏掺杂区相邻的区域形成有掺杂过渡区；其中，掺杂过渡区的掺杂浓度小于源漏掺杂区的掺杂浓度，大于P型掺...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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