【技术实现步骤摘要】
本技术涉及多晶硅真空处理，具体涉及一种用于电子级多晶硅还原系统的真空处理系统。
技术介绍
1、当前使用改良西门子法生产多晶硅的工艺依然是国内制备电子级多晶硅材料的主流工艺，改良西门子法电子级多晶硅还原系统的生产流程大致为：还原炉底盘清理、硅芯装炉、还原炉启炉置换、还原炉运行、还原炉停炉置换以及硅棒拆除。
2、在电子级多晶硅还原系统生产过程中，还原炉启炉置换作业以及停炉置换作业均需要用到真空处理装置进行抽真空操作，启炉置换是指依次使用氮气和氢气将还原炉内的空气置换成氢气环境；停炉置换是指使用氮气将还原炉内的氢气环境置换为氮气环境。同时，在还原炉装炉作业过程中也需要真空除尘装置进行底盘清理操作。
3、当前现状分别为还原炉启停炉置换作业需要设置一套独立的真空处理装置，底盘清理亦需要设置另外一套真空处理装置，也就是需要设置两套真空处理装置方能满足还原系统的生产运行，造成一定的生产成本浪费；同时底盘清理的除尘效果欠佳，会有少量粉尘随着气流进入真空系统。
技术实现思路
1、本技...
【技术保护点】
1.一种用于电子级多晶硅还原系统的真空处理系统，其特征在于，包括真空泵、真空缓冲罐、除尘过滤器、启停置换管道、置换支管、除尘管道、除尘支管，所述真空泵为两个，每个所述真空泵的进口通过手动阀与连接管的一端连接，所述连接管的另一端与所述真空缓冲罐的出口连接，其中一个所述真空缓冲罐的进口通过止逆阀与所述启停置换管道连通，所述启停置换管道上连通有多个所述置换支管，任一所述置换支管与还原炉尾气管连接；
2.根据权利要求1所述的一种用于电子级多晶硅还原系统的真空处理系统，其特征在于：所述除尘过滤器包括罐体，在所述罐体的顶部设有反吹口，底部设有排污口，所述罐体的两侧上下...
【技术特征摘要】
1.一种用于电子级多晶硅还原系统的真空处理系统，其特征在于，包括真空泵、真空缓冲罐、除尘过滤器、启停置换管道、置换支管、除尘管道、除尘支管，所述真空泵为两个，每个所述真空泵的进口通过手动阀与连接管的一端连接，所述连接管的另一端与所述真空缓冲罐的出口连接，其中一个所述真空缓冲罐的进口通过止逆阀与所述启停置换管道连通，所述启停置换管道上连通有多个所述置换支管，任一所述置换支管与还原炉尾气管连接；
2.根据权利要求1所述的一种用于电子级多晶硅还原系统的真空处理系统，其特征在于：所述除尘过滤器包括罐体，在所述罐体的顶部设有反吹口，底部设有排污口，所述罐体的两侧上下错开的位置上分别设有出气口和进气口，所述罐体内自下而上依次设有进口筛板、滤芯、出口筛板，所述进口筛板置...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵云浩，王阳，梁振祥，彭坤，王俊华，
申请(专利权)人：内蒙古大全半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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