【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶圆加工，具体而言，涉及一种寻边偏差定位方法。
技术介绍
1、晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底。由于晶圆加工精度要求，一些晶圆上会切割出一个定位边(notch)，通过确定对晶圆的定位边的位置，从而实现晶圆的精准定位，该过程为晶圆的寻边。
2、晶圆在制程工序中需要频繁地将晶圆在不同载盘与晶圆盒之间进行周转，由于机械手从晶圆盒的卡槽上取放晶圆时会存在晶圆的位置发生毫米级偏移，所以将晶圆移动到载台时会产生晶圆的定位边的方向不固定等问题。
3、现有的定心装置通常是将晶圆放在真空吸盘上，使晶圆的中心与真空吸盘的中心位于同一轴线上，真空吸盘可以带动着晶圆转动，通过真空吸盘带动着晶圆转动，将晶圆转动至所需位置。
4、由于晶圆的加工时尺寸需要极为精确，所以在确定晶圆的定位边时也需要对其精准的定位，而在现有技术中，为了确保定位边能够准确的转动至预期位置，则需要让晶圆进行多次小幅度的转动，直至晶圆的定位边与预期位置完全重合，但是这种操作无疑需要花费大量的时间对晶圆进行定位，降低了晶圆的加工效率。
<...【技术保护点】
1.一种寻边偏差定位方法，其特征在于，所述方法应用于寻边机构，所述寻边机构包括定位基座(2)和检测机构；晶圆(1)放置在所述定位基座(2)上，所述定位基座(2)上设有第一检测孔(21)和第二检测孔(22)；所述第一检测孔(21)和所述第二检测孔(22)的尺寸相同并均连接所述检测机构，所述第一检测孔(21)圆心与所述第二检测孔(22)圆心之间的连线为定位基准线；所述检测机构，用于检测设定检测物质通过所述第一检测孔(21)和所述第二检测孔(22)的检测值，所述检测值与所述第一检测孔(21)和所述第二检测孔(22)的被所述晶圆(1)遮挡的面积成正比；
2.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种寻边偏差定位方法，其特征在于，所述方法应用于寻边机构，所述寻边机构包括定位基座(2)和检测机构；晶圆(1)放置在所述定位基座(2)上，所述定位基座(2)上设有第一检测孔(21)和第二检测孔(22)；所述第一检测孔(21)和所述第二检测孔(22)的尺寸相同并均连接所述检测机构，所述第一检测孔(21)圆心与所述第二检测孔(22)圆心之间的连线为定位基准线；所述检测机构，用于检测设定检测物质通过所述第一检测孔(21)和所述第二检测孔(22)的检测值，所述检测值与所述第一检测孔(21)和所述第二检测孔(22)的被所述晶圆(1)遮挡的面积成正比；
2.根据权利要求1所述的寻边偏差定位方法，其特征在于，选取所述定位边(11)上任意另一点为驱动点，所述第一点与所述驱动点之间的距离为半径，驱动所述定位边(11)的所述驱动点使所述定位边(11)绕所述第一点旋转夹角，使所述晶圆(1)的定位边(11)与所述定位基准线平行。
3.根据权利要求1所述的寻边偏差定位方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的寻边偏差定位方法，其特征在于，按照如下方式计算所述定位边(11)与所述第二检测孔(22)相割的两个交点之间距离：
5.根据权利要求4所述的寻边偏差定位方法，其特征在于，根据如下方式计算所述定位边(11)与所述第一检测孔(21)形成的相切点至所述定位边(11)与所述第二检测孔(22)形成的两个交点中更远的一个交点之间距离：
6.根据权利要求5所述的寻边偏差定位方法，其特征在于，按照如下方式计算夹角：
7.根据权利要求1所述的寻边偏差定位方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的寻边偏差定位方法，其特征在于，根据如下方式计算弧度和弧度：
9.根据权利要求8所述的寻边偏差定位方法，其特征在于，根据如下方式计算所述第一检测孔(21)的弦心距和所述第二检测孔(22)的弦...
【专利技术属性】
技术研发人员：周惠言，谭志亮，蒋继乐，
申请(专利权)人：北京特思迪半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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