一种晶圆缺陷分类方法、装置、介质、设备和程序产品制造方法及图纸

技术编号:43379084 阅读:21 留言:0更新日期:2024-11-19 17:56
本说明书提供一种晶圆缺陷分类方法、装置、介质、设备和程序产品,获取了多个用于表征晶圆缺陷图像的原始数据集,通过层次聚类法对原始数据集进行聚类处理,获得树状图,根据预设的距离阈值从树状图中确定至少一个类簇。再获取新缺陷数据,并根据新缺陷数据与多个类簇之间的距离,来确定最终的晶圆缺陷分类结果。上述方法利用了层次聚类算法,无需事先指定类簇数量,可以灵活应对研发阶段缺陷类型的变化,而且减少调试和模型迭代训练时间。上述方法利用了改良的增量层次聚类算法,减少了新缺陷数据加入时的计算量。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及半导体制造,尤其涉及一种晶圆缺陷分类方法、装置、介质、设备和程序产品


技术介绍

1、晶圆是制造半导体产品的基础性原材料,它在半导体制造过程中扮演着极其重要的角色。晶圆上的缺陷会导致成品芯片的失败。而随着半导体技术的不断进步,晶圆缺陷的种类和形态也越来越多样化,特别是在研发过程中,新的缺陷类型会不断出现。在研发过程中,如何对晶圆缺陷进行分类是一个亟待解决的问题。


技术实现思路

1、为克服相关技术中存在的问题,本说明书提供了一种晶圆缺陷分类方法、装置、介质、设备和程序产品。

2、根据本说明书实施例的第一方面,提供一种晶圆缺陷分类方法,所述方法包括:

3、获取原始数据集;所述原始数据集包括多个用于表征晶圆缺陷图像的数据;

4、通过层次聚类算法,对所述原始数据集进行聚类处理,得到表征原始数据之间距离层次的树状图,根据预设的距离阈值,从所述树状图中确定出多个类簇的类簇信息;

5、获取新缺陷数据;所述新缺陷数据是不在所述原始数据集中的晶圆缺陷图像;

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【技术保护点】

1.一种晶圆缺陷分类方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述新缺陷数据与每个类簇之间的距离以及所述距离阈值,确定晶圆缺陷类别,包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述新缺陷数据与每个类簇之间的距离以及所述距离阈值,确定晶圆缺陷类别,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取原始数据集,包括:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述确定晶圆缺陷类别之后,所述方法还包括:

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

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【技术特征摘要】

1.一种晶圆缺陷分类方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述新缺陷数据与每个类簇之间的距离以及所述距离阈值,确定晶圆缺陷类别,包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述新缺陷数据与每个类簇之间的距离以及所述距离阈值,确定晶圆缺陷类别,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取原始数据集,包括:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述确定晶圆缺陷类别之后,所述方法还包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:白肖艳蔡雨桐易丛文夏敏管健
申请(专利权)人:深圳智现未来工业软件有限公司
类型:发明
国别省市:

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