【技术实现步骤摘要】
本技术属于输料装置的，尤其涉及一种高纯五氯化钽稳定输送装置。
技术介绍
1、在半导体cvd外延生产体系中，用到多种高纯度、易腐蚀气体，同时生长温度高达1500-1700℃，对于普通sic涂层石墨件，难以在如此苛刻的环境下长期可靠使用，导致生产成本高、良率低。
2、碳化钽(tac)是一种重要的高强度、耐腐蚀和化学稳定性好的高温结构材料，气熔点高达4000℃，是耐温最高的几种化合物之一。因此，半导体cvd工艺中，tac涂层石墨基座/加热器具有优越性和不可替代性。
3、目前高纯tac涂层工艺主要为cvd法，主要原料为五氯化钽，涂层均匀致密，纯度高，特别适用于半导体领域。但是五氯化钽沸点高，通常情况下为粉状或者晶体状，不利于输送及计量调控，无法稳定地输送进cvd设备中，生产质量低，生产速度慢，生产成本高。同时五氯化钽性质活泼，在空气中与水反应生成腐蚀性的氯化氢，装备容易腐蚀生锈，无法生产使用，产品变质，影响涂层的品质。
技术实现思路
1、本技术的目的就是解决
技术介绍
中的问题...
【技术保护点】
1.一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于，包括:
2.如权利要求1所述的一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于：所述供料罐内部安装有搅拌器。
3.如权利要求1所述的一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于：所述供料罐内部安装有过滤器，所述过滤器用于过滤自供料罐流向抽真空装置的气体中的五氯化钽。
4.如权利要求1所述的一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于：所述供料罐设有供料罐加热器和压力传感器，供料罐内温度控制在40℃-80℃。
5.如权利要求1所述的一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于：所述抽真空装置与驱动...
【技术特征摘要】
1.一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于，包括:
2.如权利要求1所述的一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于：所述供料罐内部安装有搅拌器。
3.如权利要求1所述的一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于：所述供料罐内部安装有过滤器，所述过滤器用于过滤自供料罐流向抽真空装置的气体中的五氯化钽。
4.如权利要求1所述的一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于：所述供料罐设有供料罐加热器和压力传感器，供料罐内温度控制在40℃-80℃。
5.如权利要求1所述的一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于：所述抽真空装置与驱动气源相连，抽真空装置与驱动气源相连的管路设有驱动气控制阀，抽真空装置与供料罐相连的管路设有真空控制阀，所述输料管设有补料控制阀。
6.如权利要求1或5所述的一种高纯五氯化钽稳定输送装置，其特征在于：还包括隔离气气源，所述隔离气气源用输气管与供料罐、储料罐相连，隔离气气源用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：贠海荣，
申请(专利权)人：杭州欣和智控科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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