空腔结构的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种空腔结构的制作方法，由第一材料构成外围的结构层，由位于第一材料形成的结构中的第二材料构成一刻蚀空间，将所述的第二材料刻蚀去除之后形成所述的空腔结构；在对所述的第二材料进行刻蚀时，采用分步的、具有不同刻蚀选择比的刻蚀工艺进行刻蚀：首先进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀采用低刻蚀选择比的各向同性刻蚀工艺对所述的第一材料和第二材料同时进行刻蚀；再进行第二次刻蚀，所述的第二次刻蚀采用高刻蚀选择比的各向同性刻蚀工艺对所述的第二材料进行刻蚀；完成刻蚀工艺，形成空腔结构。本发明专利技术通过分步管控刻蚀，调整不同时期两种材料的不同刻蚀选择比，有效的解决了空腔结构刻蚀过程中形成的各种缺陷的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种器件制造工艺中形成空腔结构的制作方法。

技术介绍

1、在sige产品里，有一道dummy poly的空腔结构制作，比如说伪栅工艺。形成伪栅之后需要对栅极进行去除而形成去除栅极的沟槽空腔，以便进行后续的栅极工艺。

2、如图1～3所示的显微照片，如果制作不当，对氧化层（ox）和多晶硅（poly）刻蚀之后，会产生一些缺陷，比如图1中及图2中形成的氧化层侧墙状的缺陷，以及多晶硅刻蚀之后的凹陷型曲线，而且在很多情况下，ox缺陷和poly缺陷会同时存在。

3、当通过一些工艺手段解决了这些问题，空腔形成后，又面临底层氧化层ox终止层的凹陷性缺陷的问题，这会在后续的工艺中导致一些器件的性能缺陷，比如栅极漏电。因此，必须调整工艺以解决这些问题。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种空腔结构的制作方法，形成更具有理想形貌的空腔结构。

2、为解决上述问题，本专利技术提供一种空腔结构的制作方法，其中，由第一材料构成外围的结构层，由位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种空腔结构的制作方法，其特征在于：由第一材料构成外围的结构层，由位于第一材料形成的结构中的第二材料构成一刻蚀空间，将所述的第二材料刻蚀去除之后形成所述的空腔结构；

2.如权利要求1所述的空腔结构的制作方法，其特征在于：所述的第一次刻蚀，低选择比的刻蚀工艺同时对第一材料和第二材料进行刻蚀，两者具有接近的刻蚀速率，能消除所述第一材料和第二材料在刻蚀工艺中的缺陷。

3.如权利要求1所述的空腔结构的制作方法，其特征在于：所述的第二次刻蚀，高选择比的刻蚀工艺在对所述的第一材料和第二材料进行刻蚀时，对所述的第一材料的刻蚀量小于100Å，，刻蚀完成后能维持原由所述第一材料...

【技术特征摘要】

1.一种空腔结构的制作方法，其特征在于：由第一材料构成外围的结构层，由位于第一材料形成的结构中的第二材料构成一刻蚀空间，将所述的第二材料刻蚀去除之后形成所述的空腔结构；

2.如权利要求1所述的空腔结构的制作方法，其特征在于：所述的第一次刻蚀，低选择比的刻蚀工艺同时对第一材料和第二材料进行刻蚀，两者具有接近的刻蚀速率，能消除所述第一材料和第二材料在刻蚀工艺中的缺陷。

3.如权利要求1所述的空腔结构的制作方法，其特征在于：所述的第二次刻蚀，高选择比的刻蚀工艺在对所述的第一材料和第二材料进行刻蚀时，对所述的第一材料的刻蚀量小于100å，，刻蚀完成后能维持原由所述第一材料构成的结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振兴，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：