一种发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管包括半导体叠层、绝缘层、电极孔。半导体叠层自出光面至背面包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层。半导体叠层设置有自半导体叠层背面依次穿过第二半导体层、有源层并延伸到第一半导体层的半导体台阶，暴露出的第一半导体层表面为第一台阶面，第二半导体层朝向背面的表面为第二台阶面。绝缘层至少覆盖半导体台阶的侧壁和第一台阶面。电极孔设置在覆盖第一台阶面的绝缘层中，暴露出部分第一半导体层表面。电极孔至半导体台阶侧壁的距离D，且D≥3μm。本申请的发光二极管能够改善器件中电流分布的均匀性，进而提升发光二极管的发光亮度，有效提高芯片的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，具体而言，涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

1、近年来，随着人们生活水平的提高，紫外led应用越来越普及，现行的uva波段产品已成为光固化和光催化等应用领域的第一选择，并且随着科技的不断进步和市场需求的日益增长，紫外线甲胶灯行业市场规模实现了显著的增长。

2、当前市场上的紫外线甲胶灯产品在亮度方面有着极高的要求。为了满足这一需求，制造商不断探索和改进生产工艺，力求在不增加成本的前提下提升产品性能。然而，随着产品尺寸的不断缩小，尤其是小尺寸芯粒的亮度提升，技术难度逐渐增大。在现有技术条件下，如何在保持工艺流程不变的情况下实现亮度的提升，已成为行业内亟待解决的技术难题。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的在于提供一种发光二极管及发光装置，其能够改善器件中电流分布的均匀性，进而提升发光二极管的发光亮度，有效提高芯片的光电转换效率。

2、第一方面，本申请提供了一种发光二极管，具有相对设置的出光面及背面，包括半导体叠层、绝缘层、电极孔。半导体叠层自出光面至背面方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，具有相对设置的出光面及背面，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电极孔(4)至所述半导体台阶(2)侧壁的距离D满足D≤11μm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电极孔(4)为连续或不连续的条状，且至少环绕部分所述半导体台阶(2)。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括第一电极层(5)和第二电极层(6)；

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层(3)包括第一绝缘层(31)和第二绝缘层(32)；p>

6.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，具有相对设置的出光面及背面，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电极孔(4)至所述半导体台阶(2)侧壁的距离d满足d≤11μm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电极孔(4)为连续或不连续的条状，且至少环绕部分所述半导体台阶(2)。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括第一电极层(5)和第二电极层(6)；

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层(3)包括第一绝缘层(31)和第二绝缘层(32)；

6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极层(5)与所述第一半导体层(11)的接触面积为sn，所述第一电极层(5)向平行于所述第一台阶面(21)的一平面的投影面积为so，0.01≤sn/so≤0.05。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电极孔(4)的宽度为w，2μm≤w≤6μm。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电极孔(4)至所述发光二极管边缘的距离为h，20μm≤h≤50μm。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管具有最短边，所述最短边的长度为l，200μm≤l≤260μm。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述电极孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：于艳玲，黄秀丽，吴佳楠，赵春丞，陈功，张中英，蔡吉明，黄少华，臧雅姝，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：