【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，功率器件的应用日益广泛，以ldmos（lateraldouble-diffused mos）为例，作为一种双扩散结构的功率器件，其具有高驱动电压、低电阻和良好的开关特性，被广泛应用于射频功率、电源管理、汽车电子等领域。
2、随着ldmos的应用日益广泛，对ldmos的耐压能力和输出功率等性能相应也提出了更高的要求，例如要求其具有更高的击穿电压。
3、在现有技术的一种应用中，采用场极板技术来进一步提高ldmos的击穿电压。但是，目前形成的ldmos器件中，采用金属场板结构会面临严峻的可靠性问题，特别是场板下方碰撞电离现象非常严重，对饱和电流退化影响明显，场板结构下方容易出现碰撞电离现象，可靠性有待提高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种半导体结构及其形成方法，能够提高ldmos器件的可靠性。
2、本专利技术实施例提供了一种半...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅极结构的关键尺寸小于所述第一栅极结构的关键尺寸。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构的关键尺寸为0.55微米至0.75微米；
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿平行于所述基底表面的方向，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的间距为0.3微米至0.5微米。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层还露出所述基底，被露出的基底位于第二栅极结构远离所述第一栅极结构的
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅极结构的关键尺寸小于所述第一栅极结构的关键尺寸。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构的关键尺寸为0.55微米至0.75微米；
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿平行于所述基底表面的方向，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的间距为0.3微米至0.5微米。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层还露出所述基底，被露出的基底位于第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧；
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二栅极结构与所述漏区之间的距离，大于所述场板结构与所述漏区之间的距离。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为ldmos器件，所述基底内具有有漂移区，其中，所述漂移区的掺杂浓度为1e16atom/cm3至1e17atom/cm3；其中，所述漏区、所述体区和所述源区位于所述漂移区内，且所述漏区、所述源区和所述漂移区的掺杂类型相同。
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，半导体结构还包括：
9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在同一步骤中形成所述第一栅极结构和...
【专利技术属性】
技术研发人员：滕巧，高大为，吴永玉，许凯，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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