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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底；第一栅极结构，位于所述基底上；第二栅极结构，位于所述第一栅极结构一侧的基底上；阻挡层，位于所述基底上，所述阻挡层覆盖所述第二栅极结构，以及覆盖所述第一栅极结构的侧壁和部分顶部...
该专利属于浙江创芯集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江创芯集成电路有限公司授权不得商用。

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