【技术实现步骤摘要】
本申请涉及量子比特，尤其涉及一种量子比特及其制备方法、量子芯片。
技术介绍
1、在量子计算和量子信息处理领域，量子比特的长相干时间是实现可靠量子计算的关键。然而，目前量子比特在固体材料中实现长相干时间面临着一些挑战，其中之一是来自非零核自旋的杂质引起的退相干。在固体材料中，许多核自旋的自旋量子数不为零，这些非零核自旋对量子比特的相干性产生了不利影响。
2、那么，如何减少或去除非零核自旋元素是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请提供了一种量子比特及其制备方法、量子芯片，基于核自旋为零的目标同位素采用离子注入的方式，以减少或去除非零核自旋元素。具体方案如下：
2、本申请第一方面提供一种量子比特的制备方法，所述量子比特的制备方法包括：提供一衬底；
3、在所述衬底的一侧形成第一功能层；
4、基于所述第一功能层中元素对应的核自旋为零的目标同位素，采用离子注入的方式将所述第一功能层中元素对应的核自旋为零的目标同位素注...
【技术保护点】
1.一种量子比特的制备方法，其特征在于，所述量子比特的制备方法包括：提供一衬底；
2.根据权利要求1所述的量子比特的制备方法，其特征在于，所述量子比特为Ge量子比特，所述在所述衬底的一侧形成第一功能层，包括：
3.根据权利要求2所述的量子比特的制备方法，其特征在于，所述基于所述第一功能层中元素对应的核自旋为零的目标同位素，采用离子注入的方式将所述第一功能层中元素对应的核自旋为零的目标同位素注入至所述第一功能层中，包括：
4.根据权利要求3所述的量子比特的制备方法，其特征在于，所述量子阱层为Ge量子阱层，所述基于所述量子阱层中元素对应...
【技术特征摘要】
1.一种量子比特的制备方法，其特征在于，所述量子比特的制备方法包括：提供一衬底；
2.根据权利要求1所述的量子比特的制备方法，其特征在于，所述量子比特为ge量子比特，所述在所述衬底的一侧形成第一功能层，包括：
3.根据权利要求2所述的量子比特的制备方法，其特征在于，所述基于所述第一功能层中元素对应的核自旋为零的目标同位素，采用离子注入的方式将所述第一功能层中元素对应的核自旋为零的目标同位素注入至所述第一功能层中，包括：
4.根据权利要求3所述的量子比特的制备方法，其特征在于，所述量子阱层为ge量子阱层，所述基于所述量子阱层中元素对应的核自旋为零的目标同位素，采用离子注入的方式将所述量子阱层中元素对应的核自旋为零的目标同位素注入至所述量子阱层中，包括：
5.根据权利要求1所述的量子比特的制备方法，其特征在于，所述量子比特为si量子比特，所述在所述衬底的一...
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