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本发明提供了一种量子比特及其制备方法、量子芯片，涉及量子比特技术领域。基于第一功能层中元素对应的核自旋为零的目标同位素，采用离子注入的方式将第一功能层中元素对应的核自旋为零的目标同位素注入至第一功能层中，以去除或减少第一功能层中非零核自旋元...
该专利属于合肥国家实验室所有，仅供学习研究参考，未经过合肥国家实验室授权不得商用。

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