【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶圆抛光,具体而言,涉及一种抛光液供给装置以及供给方法。
技术介绍
1、现有的抛光设备一般是通过采用化学机械抛光(chemical mechanicalpolishing,cmp),它结合了化学腐蚀和机械研磨的原理,通过在晶圆表面施加抛光液,使其在化学腐蚀和机械研磨的共同作用下对晶圆表面平坦化。
2、现有的抛光液一般采用碱性液体,如二氧化硅溶液。然而二氧化硅溶液浓度达到一定值时会产生晶化现象,但若未达到标准浓度,则会影响抛光效果。因此,目前供给装置内部采用红外传感检测结晶物,这种检测方式难以实现全面覆盖检测,容易产生检测死角,当系统误认为供给装置内无结晶物时,将会泄漏结晶物,结晶物随抛光液一同掉落至抛光垫表面,进而导致抛光时损伤到晶圆表面。
3、基于上述内容,本申请要解决的技术问题是:如何提高供给装置对结晶物的检测能力。
技术实现思路
1、为了解决现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种抛光液供给装置以及供给方法,其可以提高供给装置对结晶物的检测能力。
2、为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种抛光液供给装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的抛光液供给装置,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的抛光液供给装置,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的抛光液供给装置,其特征在于,
5.根据权利要求4所述的抛光液供给装置,其特征在于,
6.根据权利要求5所述的抛光液供给装置,其特征在于,
7.根据权利要求5所述的抛光液供给装置,其特征在于,
8.根据权利要求3所述的抛光液供给装置,其特征在于,
9.一种抛光液供给方法,适用于如权利要求5所述的抛光液供
...【技术特征摘要】
1.一种抛光液供给装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的抛光液供给装置,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的抛光液供给装置,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的抛光液供给装置,其特征在于,
5.根据权利要求4所述的抛光液供给装置,其特征在于,
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱亮,李阳健,郑猛,黄金涛,韩鹏飞,
申请(专利权)人:浙江求是半导体设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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