【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、在半导体结构中，浅沟槽隔离技术在提高器件密度、减小漏电流的产生等方面的优点使其逐渐取代传统隔离方法。
2、浅沟槽隔离技术中为修复浅沟槽拐角、预防漏电，需要在浅沟槽表面生成一层缓冲层。
3、但随着器件尺寸的缩小，对缓冲层的性能有了进一步的要求。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以改善缓冲层的性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成掩膜结构，所述掩膜结构包括初始第一掩膜层、位于初始第一掩膜层上的初始第二掩膜层以及位于初始第二掩膜层上的初始第三掩膜层，所述掩膜结构暴露出部分所述衬底表面；以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述衬底，在衬底内形成第一凹槽；沿平行于衬底表面的方向去除部分所述初始第二掩膜层形成第二掩膜层，并在相邻初始第一掩膜层和初始第三掩膜层之间形成第二凹槽；去除第二凹槽侧壁的初始第一掩膜层形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出于所述第一凹槽相邻的部分所述衬底表面；在所述第一掩膜层暴露出的衬底表面、第一凹槽侧壁表面和底部表面形成缓冲层。
3、可选的，去除部分所述初始第二掩膜层的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺对所述初始第二掩膜层的刻蚀速率大于对所述初始第一掩膜层的刻蚀速率，所述湿法刻蚀工艺对所述初始第二掩膜层的刻蚀速率大于对所述初始第三掩膜层的刻蚀速率。p>
4、可选的，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括磷酸。
5、可选的，所述初始第一掩膜层和所述初始第二掩膜层的材料不同，所述初始第三掩膜层的材料与所述初始第二掩膜层的材料不同。
6、可选的，所述初始第一掩膜层的材料包括氧化硅；所述初始第二掩膜层的材料包括氮化硅；所述初始第三掩膜层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。
7、可选的，去除所述第二凹槽侧壁的初始第一掩膜层的同时，还包括：去除所述第二凹槽侧壁的初始第三掩膜层形成第三掩膜层。
8、可选的，去除所述初始第一掩膜层和初始第三掩膜层的工艺包括湿法刻蚀工艺。
9、可选的，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括49％浓度的氢氟酸。
10、可选的，所述初始第一掩膜层的厚度小于所述初始第二掩膜层的厚度，所述初始第一掩膜层的厚度小于所述初始第三掩膜层的厚度。
11、可选的，所述初始第一掩膜层的厚度、初始第二掩膜层的厚度、初始第三掩膜层的厚度之间的比值范围为：1：(8～10)：(8～10)。
12、可选的，所述缓冲层的厚度范围为：50埃至110埃。
13、可选的，以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述衬底的工艺包括干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺对所述衬底的刻蚀速率大于对所述初始第三掩膜层的刻蚀速率。
14、可选的，形成所述缓冲层的工艺包括原位水汽生成工艺或炉管工艺。
15、可选的，所述缓冲层的材料包括氧化硅。
16、可选的，还包括：在所述第一凹槽内和掩膜结构上形成初始隔离层；平坦化所述初始隔离层和第三掩膜层，直至暴露出所述第二掩膜层表面，在所述第一凹槽内形成隔离层。
17、可选的，所述初始隔离层的材料与所述第一掩膜层的材料相同。
18、可选的，所述初始隔离层的材料包括氧化硅。
19、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
20、本专利技术的形成方法，先去除初始第二掩膜层形成第二掩膜层，再去除第二凹槽侧壁的初始第一掩膜层形成第一掩膜层，在所述第一掩膜层暴露出的衬底表面、第一凹槽侧壁表面和底部表面形成缓冲层。所述缓冲层在第一凹槽侧壁表面和底部表面、以及第一凹槽相邻的衬底表面连续形成，从而位于衬底表面的缓冲层与所述第一凹槽侧壁的缓冲层衔接圆滑，使得所述第一凹槽顶角处的缓冲层具有足够的厚度且少有尖锐表面，后续在第一凹槽内形成隔离层后，不易在第一凹槽顶角处发生漏电风险。
21、进一步，所述初始第二掩膜层上具有初始第三掩膜层，所述初始第二掩膜层与初始第三掩膜层的材料不同，因此，所述初始第三掩膜层能够保护所述初始第二掩膜层的表面，使得所述湿法刻蚀工艺只在平行于衬底表面的方向去除部分所述初始第二掩膜层，所述初始第二掩膜层的表面不会受到损伤，有利于后续作为初始隔离层的刻蚀停止层。
22、进一步，所述初始第三掩膜层保护所述初始第二掩膜层的表面免受到湿法刻蚀工艺的损伤，所述第二掩膜层的表面较为平整光滑，且所述第二掩膜层的厚度未受到损失，平坦化所述初始隔离层和第三掩膜层停止在所述第二掩膜层表面时，所述平坦化工艺的停止位置容易控制，所述过渡隔离层的高度也容易控制，有利于精细化控制制程中的各个步骤。
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1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分所述初始第二掩膜层的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺对所述初始第二掩膜层的刻蚀速率大于对所述初始第一掩膜层的刻蚀速率，所述湿法刻蚀工艺对所述初始第二掩膜层的刻蚀速率大于对所述初始第三掩膜层的刻蚀速率。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括磷酸。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一掩膜层和所述初始第二掩膜层的材料不同，所述初始第三掩膜层的材料与所述初始第二掩膜层的材料不同。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一掩膜层的材料包括氧化硅；所述初始第二掩膜层的材料包括氮化硅；所述初始第三掩膜层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。
6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第二凹槽侧壁的初始第一掩膜层的同时，还包括：去除所述第二凹槽侧壁的初始第三掩膜层形成第三掩膜层。
7.如
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括49％浓度的氢氟酸。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一掩膜层的厚度小于所述初始第二掩膜层的厚度，所述初始第一掩膜层的厚度小于所述初始第三掩膜层的厚度。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一掩膜层的厚度、初始第二掩膜层的厚度、初始第三掩膜层的厚度之间的比值范围为：1：(8～10)：(8～10)。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围为：50埃至110埃。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述衬底的工艺包括干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺对所述衬底的刻蚀速率大于对所述初始第三掩膜层的刻蚀速率。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述缓冲层的工艺包括原位水汽生成工艺或炉管工艺。
14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅。
15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一凹槽内和掩膜结构上形成初始隔离层；平坦化所述初始隔离层和第三掩膜层，直至暴露出所述第二掩膜层表面，在所述第一凹槽内形成隔离层；去除所述第二掩膜层。
16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的材料与所述第一掩膜层的材料相同。
17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的材料包括氧化硅。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分所述初始第二掩膜层的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺对所述初始第二掩膜层的刻蚀速率大于对所述初始第一掩膜层的刻蚀速率，所述湿法刻蚀工艺对所述初始第二掩膜层的刻蚀速率大于对所述初始第三掩膜层的刻蚀速率。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括磷酸。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一掩膜层和所述初始第二掩膜层的材料不同，所述初始第三掩膜层的材料与所述初始第二掩膜层的材料不同。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一掩膜层的材料包括氧化硅；所述初始第二掩膜层的材料包括氮化硅；所述初始第三掩膜层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。
6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第二凹槽侧壁的初始第一掩膜层的同时，还包括：去除所述第二凹槽侧壁的初始第三掩膜层形成第三掩膜层。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述初始第一掩膜层和初始第三掩膜层的工艺包括湿法刻蚀工艺。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括49％浓度的氢氟酸。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪沛，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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