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一种半导体结构的形成方法，提供衬底；在衬底上形成掩膜结构，所述掩膜结构包括初始第一掩膜层、位于初始第一掩膜层上的初始第二掩膜层以及位于初始第二掩膜层上的初始第三掩膜层，所述掩膜结构暴露出部分所述衬底表面；以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述衬底，在...
该专利属于浙江创芯集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江创芯集成电路有限公司授权不得商用。

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