【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、轻掺杂漏(lightly doped drain，简称ldd)离子注入工艺是指在栅极的边界下方与源漏之间形成低掺杂的扩展区，该扩展区在源漏与沟道之间形成杂质浓度梯度，从而减小漏极附近的峰值电场，达到改善热载流子效应(hot carrier injection，简称hci)和器件可靠性的目的。
2、由于高电压的施加，重掺杂的(n+/p)(以nmos为例)结的耗尽层中产生巨大的电场，改变漏端结构能够起到根本性的作用，轻掺杂漏离子注入技术使原本重掺杂的n+突变结转变为缓变结，通过在漏极外侧包裹轻掺杂的n型杂质，形成n+n/p结，从而缓和电场强度，它能将最大场强降低30％～40％，使被加速的电子在单个自由程内获得相对较小的动能，从而减少空穴的数量，达到保护栅极的作用。
3、然而，当前的轻掺杂漏结构还有待改善。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，在不增加...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的宽度与所述第二侧墙的宽度不同。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过选择性生长的方式形成所述第一侧墙的步骤和通过选择性生长的方式形成所述第二侧墙的步骤中至少一个步骤包括，通过选择性生长的方式形成碳层。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过选择性生长的方式形成碳层的步骤中，在第一栅极侧壁和第二栅极侧壁形成碳层。
5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的宽度与所述第二侧墙的宽度不同。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过选择性生长的方式形成所述第一侧墙的步骤和通过选择性生长的方式形成所述第二侧墙的步骤中至少一个步骤包括，通过选择性生长的方式形成碳层。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过选择性生长的方式形成碳层的步骤中，在第一栅极侧壁和第二栅极侧壁形成碳层。
5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过选择性生长的方式形成碳层的步骤中，所述碳层暴露出所述衬底的表面、所述第一栅极的顶部和第二栅极的顶部。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述第二掩膜层和所述第二侧墙。
7.如权利要求1或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一侧墙与所述第一掩膜层的步骤和去除所述第二掩膜层和所述第二侧墙的步骤中至少一个步骤中，去除的方法包括灰化处理。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述灰化处理的反应参数包括：灰化处理温度范围为：15℃～40℃；灰化处理时间范围为：5秒～40秒。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第一初始轻掺杂区和第二初始轻掺杂区的步骤包括：
10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构由权利要求1至权利要求9所述的半导体结构的形成方法形成。
11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三侧墙的宽度...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶然，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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