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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，具有第一区和第二区，第一区的衬底上具有第一栅极，第二区的衬底上具有第二栅极；形成第一初始轻掺杂区和第二初始轻掺杂；通过选择生长在第二栅极侧壁形成第一侧墙；对暴露出的第二区的衬底进行掺杂处理以形...
该专利属于浙江创芯集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江创芯集成电路有限公司授权不得商用。

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