【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高分子聚合物纳米线制备,具体涉及一种长度可控得到聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线及其制备方法
技术介绍
1、超分子化学的进展为创造和构建从分子尺度的分子机械到超分子聚合物的一维或二维纳米结构,甚至宏观层面的材料等众多的合成构型提供了一个卓越的平台。同时,超分子聚合物的尺寸和形状可以通过单体选择、链结构设计和溶剂条件的变化(如溶剂混合物、ph值操纵、盐浓度和温度)进行控制。
2、含有共轭聚合物核形成嵌段的两亲性嵌段共聚物通常在溶液中进行组装,从而形成胶束,然而,对自组装过程的精确控制仍然是一个挑战。活性结晶驱动自组装是一种高效的种子生长策略,用于制备形态纯净的低分散性一维纤维、二维血小板,达到尺寸可控效果。此外,对于纳米线材料而言,精准地控制纳米线的长度,对于纳米线材料的物理、化学和机械性能的发挥具有重要作用,此外,如何控制纳米线的长度的一致性也是本领域的重大技术挑战。
3、本专利技术期望开发一种新的纳米线制备工艺以解决上述本领域技术挑战。
技术实现思路
1、
...【技术保护点】
1.一种长度可控的聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线,其特征在于,所述聚芴聚噻吩嵌段共聚物的结构式如下所示:
2.根据权利要求1所述的聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线,其特征在于,所述退火温度范围为35-60℃。
3.根据权利要求1所述的聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线,其特征在于,所述聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线的长度为70-2000nm。
4.根据权利要求1所述的聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线,其特征在于,所述聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线的多分散系数Lw/Ln为1.01-1.04,其中Lw表示重均轮廓长度,Ln表示数均轮廓长度;所述聚芴聚噻吩嵌段共聚物的分
...【技术特征摘要】
1.一种长度可控的聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线,其特征在于,所述聚芴聚噻吩嵌段共聚物的结构式如下所示:
2.根据权利要求1所述的聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线,其特征在于,所述退火温度范围为35-60℃。
3.根据权利要求1所述的聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线,其特征在于,所述聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线的长度为70-2000nm。
4.根据权利要求1所述的聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线,其特征在于,所述聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线的多分散系数lw/ln为1.01-1.04,其中lw表示重均轮廓长度,ln表示数均轮廓长度;所述聚芴聚噻吩嵌段共聚物的分子量分布为1.1-1.3。
5.如权利要求1-4所述的聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线的制备方法,包括以下步骤:
6.根据权利要求5所述的聚芴聚噻吩嵌段共聚物纳米线的制备方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:许磊,潘亚楠,叶陈晨,杜贤辉,
申请(专利权)人:淮北师范大学,
类型:发明
国别省市:
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