【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于，涉及减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法，尤其涉及减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法、研磨方法与硅片。
技术介绍
1、随着集成电路、人工智能与大数据等产业蓬勃发展，产品应用越来越广泛；在全球不断扩大的需求推动下，各大半导体企业不断扩建新厂区，提升产能以满足市场需求；与此同时，不断迭代的应用产品性能不断升级对芯片的集成化、能耗与运算速度等都提出了更高要求。这些应用端的更高需求不断催生出线宽更小、能耗更低且运算速度更快的芯片产品，在不断推出迭代升级产品的过程中往往面临制程良率的更大损失。特别是集成电路用300mm大尺寸硅片的生产加工，他具有高平坦度和高洁净度的严格要求，这些要求贯穿300mm大尺寸硅片加工的全制程。
2、集成电路用300mm大尺寸硅片制造过程中主要环节有长晶、晶棒成型、硅片成型、双面抛光与清洗等步骤，这其中硅片成型的制程能力直接决定了硅片的平坦度水平，是给硅片品质打基础并承上启下的关键工艺步骤。所谓硅片成型包括晶棒切割、硅片倒角与硅片研磨等工序，这些工序完成后硅片的大体形貌已经基本确定。硅片倒角主要...
【技术保护点】
1.一种减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗液超声清洗包括：将硅片置于清洗液中进行超声处理；
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述清洗液清洗包括：将硅片置于清洗液中；
4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述清洗液超声清洗与清洗液清洗中的清洗液中清洗剂的质量浓度分别独立地为2～6wt％。
5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，所述保湿液清洗包括：将硅片置于保湿液中；
6.根据权利要求1～5...
【技术特征摘要】
1.一种减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗液超声清洗包括：将硅片置于清洗液中进行超声处理；
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述清洗液清洗包括：将硅片置于清洗液中；
4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述清洗液超声清洗与清洗液清洗中的清洗液中清洗剂的质量浓度分别独立地为2～6wt％。
5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，所述保湿液清洗包括：将硅片置于保湿液中；
<...【专利技术属性】
技术研发人员：孙强，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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