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本发明提供了减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法、研磨方法与硅片，所述方法包括：在硅片进行单面研磨前进行清洁；所述清洁包括依次进行的清洗液超声清洗、清洗液清洗、保湿液清洗与慢提拉干燥，所述慢提拉干燥在静电消除装置中进行。本发明提供的方法中通过...
该专利属于上海超硅半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超硅半导体股份有限公司授权不得商用。

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