一种Micro LED显示芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及显示芯片技术领域，公开了一种Micro LED显示芯片及其制备方法，Micro LED显示芯片包括驱动基板，驱动基板表面设有若干发光单元，发光单元底部通过键合金属层与驱动基板相连，发光单元包括外延层，外延层侧壁设有介质层，介质层对应发光单元出光口处开窗，介质层外设置有纳米银线层，纳米银层内沉积ITO导电膜。本发明专利技术通过引入网状纳米银线分割电极结构，增强了Micro LED的散热能力，提高了热稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示芯片，具体涉及一种micro led显示芯片及其制备方法。

技术介绍

1、micro led的英文全名是micro light emitting diode，中文称作微发光二极体，也可以写作μled，一般指使用尺寸为1～60um的led发光单元组成显示阵列的技术，其大小相当于人头发丝的1/10，具有无需背光，光电转换效率高，响应时间在ns级等特点，是将led进行薄膜化、微小化和阵列化，使其体积达到大小只有主流led的1％，像素点距离达到由毫米达到微米的一项技术。micro led作为一种新兴的显示技术，具有高分辨率、低功耗、高亮度和快速响应时间等优点，因此在高分辨率显示、可穿戴设备、增强现实和高速可见光通信等领域有着重要的应用价值。microled不仅继承了传统led高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点，而且还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。

2、在应用的过程中，micro led底层用正常的cmos集成电路制造工艺制成led显示驱动电路，然后再用mocvd机在集成电路上制作led阵列，从而实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro LED显示芯片，其特征在于，包括驱动基板，所述驱动基板表面设有若干发光单元，所述发光单元底部通过键合金属层与驱动基板相连，所述发光单元包括外延层，所述外延层侧壁设有介质层，所述介质层对应发光单元出光口处开窗，所述介质层外设置有纳米银线层，所述纳米银层内沉积ITO导电膜。

2.根据权利要求1所述的Micro LED显示芯片，其特征在于，所述驱动基板是硅基CMOS背板，所述驱动基板表面设有与外延层对应相连的金属触点。

3.根据权利要求1所述的Micro LED显示芯片，其特征在于，所述外延层包括第一半导体层、多量子阱结构和第二半导体层，所述第一半导...

【技术特征摘要】

1.一种micro led显示芯片，其特征在于，包括驱动基板，所述驱动基板表面设有若干发光单元，所述发光单元底部通过键合金属层与驱动基板相连，所述发光单元包括外延层，所述外延层侧壁设有介质层，所述介质层对应发光单元出光口处开窗，所述介质层外设置有纳米银线层，所述纳米银层内沉积ito导电膜。

2.根据权利要求1所述的micro led显示芯片，其特征在于，所述驱动基板是硅基cmos背板，所述驱动基板表面设有与外延层对应相连的金属触点。

3.根据权利要求1所述的micro led显示芯片，其特征在于，所述外延层包括第一半导体层、多量子阱结构和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层为znse、zno、gan、aln、inn、ingan、gap、alingap、algaas中的一种或多种。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄坤翔，王世栋，蔡溢，
申请(专利权)人：盐城鸿石智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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