【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法。更具体地，本公开涉及一种被配置为执行擦除操作的存储器设备和一种操作该存储器设备的方法。
技术介绍
1、存储器设备可以包括：在其中存储数据的存储器单元阵列；外围电路，其被配置为执行编程、读取和擦除操作；以及控制电路，其被配置为控制外围电路。
2、存储器单元阵列可以包括多个存储器块。多个存储器块中的每个存储器块可以包括多个存储器单元。
3、具有三维结构的存储器设备可以包括堆叠在衬底上的存储器单元。例如，具有三维结构的存储器设备可以包括垂直于衬底的插塞。插塞可以包括连接在位线与源极线之间的选择晶体管和连接在选择晶体管之间的存储器单元。位线与源极线之间的存储器单元和选择晶体管可以构成串。
4、根据阈值电压，存储器单元可以具有编程状态或擦除状态。例如，具有高于参考电压的阈值电压的存储器单元可以具有编程状态，并且具有低于参考电压的阈值电压的存储器单元可以具有擦除状态。
5、编程操作是将处于擦除状态的存储器单元的阈值电压增大到对应于编程状态的阈值电压的...
【技术保护点】
1.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第三擦除电压具有第三幅值，并且所述第三幅值高于所述第二幅值但低于所述第一幅值。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第三擦除电压基本上等于所述第一擦除电压。
4.如权利要求1所述的方法，其中在所述第一擦除电压被施加到所述源极线之后，所述第一擦除电压被维持基本上恒定达第一时间量。
5.如权利要求1所述的方法，其中在所述第二擦除电压被施加到所述源极线之后，所述第二擦除电压被维持基本上恒定达第二时间量。
6.如权利要求1所述的方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第三擦除电压具有第三幅值，并且所述第三幅值高于所述第二幅值但低于所述第一幅值。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第三擦除电压基本上等于所述第一擦除电压。
4.如权利要求1所述的方法，其中在所述第一擦除电压被施加到所述源极线之后，所述第一擦除电压被维持基本上恒定达第一时间量。
5.如权利要求1所述的方法，其中在所述第二擦除电压被施加到所述源极线之后，所述第二擦除电压被维持基本上恒定达第二时间量。
6.如权利要求1所述的方法，其中在所述第二擦除电压被施加到所述源极线之后，所述第二擦除电压逐渐增大到所述第三擦除电压。
7.如权利要求6所述的方法，其中在其内所述第二擦除电压逐渐增大到所述第三擦除电压的时间段长于在其期间所述第一擦除电压逐渐减小到所述第二擦除电压的时间段。
8.如权利要求1所述的方法，其中当所述第一擦除电压、所述第二擦除电压和所述第三擦除电压中的至少一者被施加到所述源极线时，
9.如权利要求8所述的方法，其中接通电压被施加到与所述选择晶体管的栅极连接的选择线，并且
10.如权利要求9所述的方法，其中所述接通电压是具有大于零伏的幅值的正电压；并且
11.如权利要求9所述的方法，其中所述接通电压是具有大于0v的幅值的正电压，并且
12...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐文植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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