存储器装置和存储器装置的操作方法制造方法及图纸

技术编号:43345259 阅读:26 留言:0更新日期:2024-11-15 20:42
提供了存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置可包括:存储器单元阵列,包括分别连接到第一字线至第四字线的第一存储器单元至第四存储器单元;感测放大器,包括第一感测电路,第一感测电路被配置为响应于第一字线和第三字线在第一时间点的激活,基于存储在第一存储器单元中的第一权重和存储在第三存储器单元中的第二权重来生成第一加权和;输入和输出电路,被配置为响应于第一读取命令将第一加权和输出到外部装置;以及恢复电路,被配置为在第一时间点之后执行用于将存储在第二存储器单元中的第一数据项存储到第一存储器单元并且用于将存储在第四存储器单元中的第二数据项存储到第三存储器单元的恢复操作。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体存储器,并且更具体地涉及存储器装置和存储器装置的操作方法


技术介绍

1、通常,存储器装置的操作速度和处理器的操作速度比处理器与存储器装置之间的通信速度快。随着人工智能技术的发展,正在研究各种技术以解决由这样的通信速度导致的瓶颈。例如,近年来,已经研究了存储器装置执行一些算术运算的存储器中处理(pim)技术。

2、动态随机存取存储器(dram)装置广泛用作处理器的主存储器。dram装置以存储在存储器单元中的电荷的形式存储数据。然而,存储在dram装置的存储器单元中的电荷可随着读取操作被执行而泄漏。因此,当对dram的存储器单元执行读取操作时,可执行恢复操作以恢复泄漏的电荷。


技术实现思路

1、本公开的实施例可提供执行算术运算的存储器装和存储器装置的操作方法。

2、根据本公开的实施例的一种存储器装置可包括:存储器单元阵列,包括分别连接到第一字线至第四字线的第一存储器单元至第四存储器单元;感测放大器,包括第一感测电路,第一感测电路被配置为响应于第一字线和第三字线在第一时间点本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,恢复电路还被配置为:

4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中,恢复电路还被配置为:

5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,恢复电路还被配置为:

6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,第一存储器单元至第四存储器单元中的每个连接到第一位线,第一位线连接到第一感测电路。

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中,

8.根据权利要求6所述的存储器装置,其中,恢复操作在执行第一位线的预充电操作...

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,

3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,恢复电路还被配置为:

4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中,恢复电路还被配置为:

5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,恢复电路还被配置为:

6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,第一存储器单元至第四存储器单元中的每个连接到第一位线,第一位线连接到第一感测电路。

7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中,

8.根据权利要求6所述的存储器装置,其中,恢复操作在执行第一位线的预充电操作之前被执行。

9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,恢复电路还被配置为响应于在第一时间点之后从外部装置接收的预充电命令来执行恢复操作。

10.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,

11.根据权利要求10所述的存储器装置,其中,输入和输出电路被配置为在恢复操作被执行的同时将第一加权和输出到...

【专利技术属性】
技术研发人员:李洙龙崔裁炫
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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