【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种热处理设备及热处理设备的工作方法。
技术介绍
1、在半导体制造领域，经常利用热处理设备将晶圆快速加热至一定温度从而进行各种工艺处理，快速热处理(rapid thermal processing，rtp)是指将晶圆快速加热到设定的温度，在短时间内进行快速热处理的方法。目前，快速热处理已成为半导体制造领域不可或缺的一项工艺，用于氧化、退火、金属硅化物的形成和快速热化学沉积。
2、实现快速热处理工艺的设备叫做热处理设备，由于热处理设备腔体属于密闭空间，当打开腔体保养时，腔体内部会接触到大气，大气中含有的微量气化物就会附着在腔体及内部深槽，在吹气的过程中会导致晶圆表面气体的不流畅，在晶圆表面堆积从而对晶圆表面产生损伤，并且杂质会在晶圆的表面产生纳米级别的微颗粒，降低了晶圆表面的形成质量。
3、所以，目前急需快去将去除杂质的方法，以提升热处理后晶圆表面的形成质量。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是提供一种热处理设备及热处理设备的工作方...
【技术保护点】
1.一种热处理设备，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述热处理设备，其特征在于，所述晶圆基座投影到所述炉腔的侧壁上的位置与所述温度补偿装置在所述炉腔的侧壁上的位置对应。
3.如权利要求1所述热处理设备，其特征在于，所述温度补偿装置包括套设在所述炉腔的外壁上的第一部件和与所述第一部件连通设计的第二部件。
4.如权利要求3所述热处理设备，其特征在于，当所述温度补偿装置对所述炉腔的侧壁进行加热补偿所述炉腔的侧壁温度时，热介质通过所述第二部件传送到所述第一部件内。
5.一种热处理设备的工作方法，其特征在于，包括：
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