永磁体、装置、永磁体的制造方法以及永磁体粉末的制造方法制造方法及图纸

提供一种矫顽力较高的永磁体、装置、永磁体的制造方法以及永磁体粉末的制造方法。本公开所涉及的永磁体具有由下述化学式(1)表示的组成，化学式(1)：(R<subgt;1‑x</subgt;Zr<subgt;x</subgt;)<subgt;a</subgt;(T<subgt;1‑y‑z</subgt;Cu<subgt;y</subgt;M<subgt;z</subgt;)<subgt;b</subgt;B<subgt;c</subgt;其中，R表示选自稀土元素中的至少一种，T表示选自由Fe、Co以及Ni组成的组中的至少一种，M表示选自由C、N、Al、Si、P、Ti、V、Cr、Mn、Nb、Mo、Hf、Ta以及W组成的组中的至少一种，a、b和c分别表示原子％，x、y和z分别表示Zr、Cu和M的比率，并且满足以下条件：5≤a≤10、b＝100‑(a+c)、3≤c≤20、0.01≤x≤0.5、0.001≤y≤0.1、0≤z≤0.1。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种永磁体、装置、永磁体的制造方法以及永磁体粉末的制造方法。

技术介绍

1、需求一种具有高剩余磁化和高耐热性的永磁体。作为这种磁体材料的候补，可以举出具有thmn12型正方晶结构的smfe12系化合物，该smfe12系化合物具有高饱和磁化和高居里温度。

2、作为饱和磁化和矫顽力优异且矫顽力的温度特性得到改善的永磁体，特开2001-189206号公报公开了一种永磁体，该永磁体由包含具有thmn12型正方晶结构的硬磁性相和非磁性相的合金构成。

3、作为提高饱和磁化的磁体材料，特开2018-125512号公报公开了一种具有特定组成的磁体材料，该磁体材料具备由thmn12型晶相构成的主相。

技术实现思路

1、在具有thmn12型正方晶结构的smfe12系化合物中，还需求高矫顽力化。

2、本公开旨在解决上述课题，其目的在于提供一种矫顽力较高的永磁体、装置、永磁体的制造方法以及永磁体粉末的制造方法。

3、本公开所涉及的永磁体具有由下述化学式(1)表示的组成，...

【技术保护点】

1.一种永磁体，其中，

2.根据权利要求1所述的永磁体，其中，

3.根据权利要求2所述的永磁体，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的永磁体，其中，

5.根据权利要求4所述的永磁体，其中，

6.根据权利要求1至3中任一项所述的永磁体，其中，

7.根据权利要求1至3中任一项所述的永磁体，其中，

8.根据权利要求1至3中任一项所述的永磁体，其中，

9.根据权利要求1至3中任一项所述的永磁体，其中，

10.一种装置，其中，

11.一种永磁体的制造方法，其中，

...

【技术特征摘要】

1.一种永磁体，其中，

2.根据权利要求1所述的永磁体，其中，

3.根据权利要求2所述的永磁体，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的永磁体，其中，

5.根据权利要求4所述的永磁体，其中，

6.根据权利要求1至3中任一项所述的永磁体，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：幕田裕和，
申请(专利权)人：株式会社东金，
类型：发明
国别省市：

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