固体电解电容器及用于制造固体电解电容器的方法技术

本公开涉及一种固体电解电容器及其制备方法。根据本公开的一方面的固体电解电容器包括阳极构件，其由阀金属制成；介电层，其形成在阳极构件之上；以及固体电解质层，其形成在介电层之上，其中，固体电解质层包括：第一电解质层，其形成在介电层之上；以及第二电解质层，其形成在第一电解质层之上；其中，第一电解质层为离子传导电解质层，并且第二电解质层为电子传导电解质层。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种固体电解电容器和一种用于制造固体电解电容器的方法。

技术介绍

1、近年来，固体电解电容器已广泛应用于各个领域，诸如电子装置领域。日本未审查专利申请公布号h6-69082公开了一种固体电解电容器技术，其中使用导电聚合物作为固体电解质。

技术实现思路

1、如上所述，固体电解电容器已广泛应用于各个领域，比如电子设备领域。近年来，由于电子装置的尺寸越来越小，因此需要使固体电解电容器小型化。因此，由于需要在保持固体电解电容器的电容的同时使固体电解电容器小型化，因此提高这类固体电解电容器的每单位体积电容表观比(capacitance appearance ratio)是必要的。

2、鉴于上述问题，本公开的目的是提供一种能够提高其电容表观比的固体电解电容器，并提供一种制造这种固体电解电容器的方法。

3、根据本公开的一方面的固体电解电容器包括：阳极构件，其由阀金属制成；介电层，其形成在阳极构件之上；以及固体电解质层，其形成在介电层之上。该固体电解质层包括：第一电解质层，其形成在介电层之上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种固体电解电容器，其包括：

2.根据权利要求1所述的固体电解电容器，其中，所述第一电解质层包含由下面示出的式(1)表示的材料，

3.根据权利要求2所述的固体电解电容器，其中，在所述第一电解质层中，上面示出的式(1)中的M是存在于所述介电层的表面中的阀金属原子；所述第一电解质层如Si-O-M所示共价键合在所述介电层的表面；并且所述第一电解质层与所述第二电解质层接触。

4.根据权利要求3所述的固体电解电容器，其中，所述第二电解质层的电导率高于所述第一电解质层的电导率。

5.根据权利要求1或2所述的固体电解电容器，其中，所述第二电解质层包含...

【技术特征摘要】

1.一种固体电解电容器，其包括：

2.根据权利要求1所述的固体电解电容器，其中，所述第一电解质层包含由下面示出的式(1)表示的材料，

3.根据权利要求2所述的固体电解电容器，其中，在所述第一电解质层中，上面示出的式(1)中的m是存在于所述介电层的表面中的阀金属原子；所述第一电解质层如si-o-m所示共价键合在所述介电层的表面；并且所述第一电解质层与所述第二电解质层接触。

4.根据权利要求3所述的固体电解电容器，其中，所述第二电解质层的电导率高于所述第一电解质层的电导率。

5.根据权利要求1或2所述的固体电解电容器，其中，所述第二电解质层包含导电聚合物。

6.一种用于制备固体电解电容器的方法，其包括：

7.根据权利要求6所述的用于制备固体电解电容器的方法，其中，所述第三步骤包括：步骤a，水解由下...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岚元气，石岛正弥，朝见忠昌，菅原康久，
申请(专利权)人：株式会社东金，
类型：发明
国别省市：