射频传输元件及其制备方法、等离子体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种射频传输元件及其制备方法、等离子体装置。所述射频传输元件与一射频源相连，所述射频源用于发送射频信号，所述射频传输元件包括：射频传递结构和保护层，所述保护层位于所述射频传递结构的整个表面；其中，所述保护层的材质包括类金刚石或金刚石。本发明专利技术通过在射频传递结构的整个表面形成DLC或金刚石保护层，有效防止了射频传输元件被氧化或腐蚀而引起导电性变化和外观差异；所述保护层具有优异的耐磨性和导热性，能够避免射频传输元件被划伤或散热不畅等问题，延长其使用寿命。本发明专利技术还通过在射频传递结构不同金属层之间形成DLC或金刚石阻挡层，有效阻挡了不同金属层间的金属扩散，避免对射频传输元件导电性的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种射频传输元件及其制备方法、等离子体装置。

技术介绍

1、目前在对半导体器件的制造过程中，通常使用电容耦合式或电感耦合式的等离子体发生器激发引入其中的工艺气体产生等离子体，从而对放置在等离子体刻蚀设备内的基片进行刻蚀等加工处理。其中，电容耦合等离子体刻蚀设备通过射频传输元件(如射频杆)将射频源发出的射频信号施加到上、下极板之一，以电容耦合的方式在反应腔内产生等离子体；电感耦合等离子体刻蚀设备通过射频传输元件(如电感线圈)使射频源发出的射频信号，以磁场耦合的形式进入反应腔内产生等离子体。

2、然而，现有技术采用的射频传输元件因存在以下现象而造成其能量损耗，影响其导电性和使用寿命：当射频传输元件工作时，趋肤效应使得电流集中在临近射频传输元件外表的薄层。常用的射频传输元件的材料如铜，铜在使用过程中易被氧化，氧化铜的导电性差，电阻较大，易发热导致能量损耗。

3、因此，迫切需要一种新的射频传输元件，以降低能量损耗。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种射频本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频传输元件，所述射频传输元件与一射频源相连，所述射频源用于发送射频信号，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的射频传输元件，其特征在于，所述保护层的厚度为100nm～100μm，孔隙率为小于1％。

3.如权利要求1所述的射频传输元件，其特征在于，所述射频传递结构为第一金属层。

4.如权利要求3所述的射频传输元件，其特征在于，所述射频传递结构还包括第一增强结合层，所述第一增强结合层设置在第一金属层和保护层之间，用于增强所述保护层与第一金属层之间的结合力。

5.如权利要求4所述的射频传输元件，其特征在于，所述第一增强结合层的材质包...

【技术特征摘要】

1.一种射频传输元件，所述射频传输元件与一射频源相连，所述射频源用于发送射频信号，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的射频传输元件，其特征在于，所述保护层的厚度为100nm～100μm，孔隙率为小于1％。

3.如权利要求1所述的射频传输元件，其特征在于，所述射频传递结构为第一金属层。

4.如权利要求3所述的射频传输元件，其特征在于，所述射频传递结构还包括第一增强结合层，所述第一增强结合层设置在第一金属层和保护层之间，用于增强所述保护层与第一金属层之间的结合力。

5.如权利要求4所述的射频传输元件，其特征在于，所述第一增强结合层的材质包括镍、铝、锌、铜、钽中的至少一种。

6.如权利要求4所述的射频传输元件，其特征在于，所述第一增强结合层的厚度小于所述保护层的厚度。

7.如权利要求1所述的射频传输元件，其特征在于，所述射频传递结构包括：

8.如权利要求3-7中任一项所述的射频传输元件，其特征在于，所述第一金属层的材质包括铜、铝、银、铁、锌及其合金中的至少一种。

9.如权利要求7所述的射频传输元件，其特征在于，所述阻挡层的材质包括类金刚石或金刚石。

10.如权利要求9所述的射频传输元件，其特征在于，所述阻挡层的材质还包括掺杂元素，所述掺杂元素包括氢、硼、碳、氮、氧、氟、硅中的至少一种。

11.如权利要求7所述的射频传输元件，其特征在于，所述第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率。

12.如权利要求11所述的射频传输元件，其特征在于，所述第二金属层的材质包括铜、铝、银、铁、锌及其合金中的至少一种。

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【专利技术属性】
技术研发人员：杨桂林，陈星建，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：