薄膜体声波谐振器制备方法,薄膜体声波谐振器,滤波器技术

技术编号:43345226 阅读:40 留言:0更新日期:2024-11-15 20:42
根据本发明专利技术提供的薄膜体声波谐振器的制备方法包括提供具有顶面的基底;在所述基底的所述顶面上形成介电材料层;在所述介电材料层的远离所述基底的表面上形成底部电极;在所述底部电极的远离所述基底的表面上形成压电材料层;在所述压电材料层的远离所述基底的表面上形成中间金属层;在所述中间金属层的远离所述基底的表面上形成质量负载层;和在所述质量负载层的远离所述基底的表面上形成顶部电极。以这种方式,增加了工艺选择,并且增加了在顶部电极下方和具有薄膜体声波谐振器的滤波器中形成薄膜体声波谐振器的多质量负载的灵活性,从而提高了滤波器的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

【】本专利技术的各种实施例涉及谐振器的,尤其是涉及一种薄膜体声波谐振器制备方法、薄膜体声波谐振器和滤波器。


技术介绍

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技术介绍

1、由于压电晶体能够在工作过程中产生稳定的谐振频率信号,几十年来,压电晶体一直被用作无线电通信设备的频率控制部件。通常,可以通过改变压电晶体的质量负载来调谐特定压电晶体的谐振频率,具体是通过增加或减少压电晶体电极部分的质量来实现的。

2、然而,在相关技术中,在具有沉积在压电材料层上的顶部电极的基底上制备薄膜体声波谐振器的方法使用质量负载剥离工艺,不可能在顶部电极上和顶部电极下方形成质量负载,因为由于后续工艺的损失,剥离工艺不可能直接在由氮化铝制成的压电材料层上执行,导致工艺选择较少,薄膜体声波谐振器的质量负载形成和具有该薄膜体声波谐振器的滤波器中的柔性差,以及滤波器中的灵敏度差。

3、因此,有必要提供一种薄膜体声波谐振器的制备方法来解决上述问题。


技术实现思路

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技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供薄膜体声波谐振器的制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制备薄膜体声波谐振器的制备方法,包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其中在所述基底的所述顶面上形成所述介电材料层包括:

3.根据权利要求1所述的制备方法,其中在所述压电材料层的远离所述基底的表面上形成所述中间金属层包括:

4.根据权利要求1所述的制备方法,其中在所述质量负载层上形成所述顶部电极之后,所述方法还包括干法蚀刻所述顶部电极以形成最终质量负载层。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其中在所述中间金属层的远离所述基底的表面上形成所述质量负载层包括:

6.根据权利要求1所述的制备方法,其中在所述质量负载层上形成...

【技术特征摘要】

1.一种制备薄膜体声波谐振器的制备方法,包括:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其中在所述基底的所述顶面上形成所述介电材料层包括:

3.根据权利要求1所述的制备方法,其中在所述压电材料层的远离所述基底的表面上形成所述中间金属层包括:

4.根据权利要求1所述的制备方法,其中在所述质量负载层上形成所述顶部电极之后,所述方法还包括干法蚀刻所述顶部电极以形成最终质量负载层。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其中在所述中间金属层的远离所述基底的表面上形成所述质量负载层包括:

6.根据权利要求1所述的制备方法,其中在所述质量负载层上形成所述顶部电极包括:

7.根据权利要求6所述的制备方法,其中,所述金属沉积包括物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、电镀和其他合适的工艺。

8.根据权利要求6所述的制备方法,其中,总厚度包括所述中间金属层的厚度和所述顶部电极的厚度,所述总厚度根据所述薄膜体声波谐振器的频率范围进行调节,并且所述顶部金属层的所述厚度为100nm至1000nm。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其中,所述中间金属层的厚度为5nm至1000nm。

10.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述基底的材料包括石英、氮化铝、硅、碳化硅、蓝宝石、玻璃和聚合物材料中的任何一种。

11.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述压电材料层的材料包括铌酸锂、氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅以及其他合适的金属中的任何一种。

12.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述中间金属...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕丽英吴珂黎家健
申请(专利权)人:瑞声科技新加坡有限公司
类型:发明
国别省市:

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